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公开(公告)号：CN211112317U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201922035645.X
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本实用新型属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关键在于：所述炉体分隔为合成生长室、投料室及装料室，装料室和投料室借助插板分隔，装料室内设置翻转投料器，投料室内设置送料管，送料管一端对接翻转投料器，一端延伸至合成生长室内的坩埚内形成铟磷混合球投送结构；坩埚定位在坩埚杆上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室顶盖上。可将铟磷混合球快速投入到覆盖有液态氧化硼的坩埚中，合成后后，原位提拉形成磷化铟晶体，合成速度更快，利于产业化生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218404490U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202222495716.6
申请日：2022-09-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的装置，属于半导体材料的制备领域，所述装置包括形成密封炉体的炉体外壳、穿过炉体外壳的真空管路、穿过炉体外壳的水冷管路、设置在炉体内下端的晶体支撑、设置在炉体内上端的多晶夹持、设置在炉体外壳上的红外测温仪、设置在炉体内的下电阻加热器、上电阻加热器、交变磁场发生器、电磁约束器、辅助加热器。使用本实用新型提出的装置生长晶体，无需坩埚，生长界面稳定且不受半导体晶体的尺寸的影响，本装置还适用于氧化镓等熔点高且易于与坩埚反应的晶体制备。
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公开(公告)号：CN215828910U
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202121203824.0
申请日：2021-06-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型公开了一种倒吸式化合物半导体晶体合成系统中VGF坩埚的连接组件，包括用于连接VGF坩埚和上炉体的转接卡具，在所述VGF坩埚下方设有倒吸管，其特征在于：所述转接卡具与所述上炉体的上炉盖相连，在所述转接卡具上设有用于形成坩埚卡槽的卡环和冷却柱、向上穿过所述上炉盖的平衡气管，所述VGF坩埚的顶部限位在所述坩埚卡槽内。本实用新型的有益效果是：通过设计转接卡具，实现炉盖和VGF坩埚的密封连接，同时还能将籽晶杆引入VGF坩埚中，是倒吸熔体和LEC和VGF联合晶体生长的关键部件，并且转接卡具还可以重复使用。
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公开(公告)号：CN215050847U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202120712133.7
申请日：2021-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种晶体生长过程中炉内原料注入装置，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及在晶体生长过程中，设置在炉体内的原料注入装置。所述装置包括环形原料水冷盘和原料承载注入系统；原料承载注入系统包括原料承载器、设置在原料承载器周围的电阻丝、连通原料承载器的原料注入管、原料承载器上盖；原料承载注入系统插入原料槽中。采用本实用新型，可以将晶体生长所需的部分原材料放置在原料承载中，当坩埚内的晶体生长材料即将耗尽时，原料承载注入系统将原料注入到坩埚中，保持晶体继续生长。在生长大尺寸晶体时，可以使用小容积的坩埚，坩埚内的温度场容易控制，保证晶体的质量。
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公开(公告)号：CN211999987U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020576918.1
申请日：2020-04-17
申请人： 中国电子科技南湖研究院 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： C30B33/06
摘要： 一种制备大尺寸单晶的装置，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的装置。包括水冷炉、密闭置于水冷炉中的固态连接室、置于固态连接室内的组合夹具，组合夹具固定多个晶块，使用顶柱或应力压块通过组合夹具对晶块施压，水冷炉中设置围绕固态连接室的加热丝，真空管道连通固态连接室，在组合夹具附近设置有热偶。有益效果：1、可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、制备过程中，不必考虑孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，3、设备简单，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
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公开(公告)号：CN218404506U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202222566845.X
申请日：2022-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种化合物半导体的离心晶体生长装置，属于半导体材料制备领域，所述装置包括离心电机、旋转主轴、固定在旋转主轴上的支撑杆、连接支撑杆的离心轮、设置在离心轮边缘内侧石墨坩埚，经籽晶杆驱动设置在旋转主轴的籽晶杆、设置在离心轮上下两侧的磁场发生器。采用本实用新型提出的装置，加速了碳原子的传输，生长界面处碳原子源源不断的供应，可以有效避免夹杂物和多晶的形成，实现高效制备低缺陷、无夹杂的高品质碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN216550817U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202120712333.2
申请日：2021-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： C30B15/20
摘要： 一种具有可变生长空间的晶体生长装置，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及在晶体生长过程中根据晶体尺寸动态控制生长空间的晶体生长装置。包括主体立柱，设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体内部有坩埚及坩埚加热、支撑结构，坩埚上方有籽晶杆及籽晶杆驱动装置，主炉体为开放的圆筒，通过主炉体驱动电机和主驱动臂定位在主体立柱上；设置与主炉体配套的可移动装置，可移动装置通过上下运动，实现晶体生长空间的变化控制。采用本装置，在晶体生长的初期，生长空间小，热场对流小，容易进行晶体生长的引晶和放肩过程；待晶体长大后，炉体开始随着晶体的长大而伸长，晶体本身的降温会保证晶体生长的稳定性。
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公开(公告)号：CN215420207U
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202121319956.X
申请日：2021-06-11
申请人： 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本实用新型一种用于固态微波功率放大器的驱动控制器，包括信号单元、电平转换单元、高压驱动单元、峰值电流检测电路、温度检测单元等。电平转换单元主要产生信号单元所需的逻辑电压以及驱动单元所需的工作电压；峰值电流检测电路用以对负载电流实现监测，保护电路根据检测的峰值电流、温度等参数切换高压驱动单元的信号，实现对开关管的保护。同传统采用分离模块组成的驱动源相比，本实用新型在实现驱动源微型化的同时能实现高重复频率、大电流、快前沿、窄脉冲的输出，由于系统集成度的提高，可优化PCB布局，有效降低系统中器件封装引线电感和PCB走线电感，从而能有效抑制电路振荡，避免振荡导致的器件受损，提高了电路工作的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN215050857U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202121231127.6
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种晶体原位退火装置，属于晶体制备领域，具体涉及晶体生长完成后实现原位退火的装置，设置在主炉体内，所述装置包括上密封罩、上密封罩驱动装置、下密封罩、下密封罩驱动装置，上密封罩下部开口形成上密封罩主体，下密封罩上部开口，上密封罩主体外设置上密封罩加热丝，下密封罩上部开口外设置下密封罩加热丝；在上密封罩驱动装置和下密封罩驱动装置驱动下，密封罩主体和下密封罩的上部开口部分重叠，形成退火空间。采用本实用新型提出的退火装置，可以在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在特定气氛下退火时，保证气体不外露、不凝结，维持良好的退火环境，保证晶体质量。
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公开(公告)号：CN211999986U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020576893.5
申请日：2020-04-17
申请人： 中国电子科技南湖研究院 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式制备成大尺寸单晶的装配结构。结构中包括包套和置于包套内部的晶块单元，所述包套由包套主体和包套上盖组成，所述包套主体或包套上盖上设置抽气孔，包套内表面设置包套保护层；所述晶块单元包括多个单晶块，单晶块间通过连接面组合，并使用夹具进行固定，外表面设置石英包裹层。采用本实用新型提供的装置，可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，制备过程中，热等静压方式使得各单晶块之间各向受力一致，不必考虑位错、孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，设备简单，理论上可以制备任意尺寸的单晶。
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