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公开(公告)号：CN110690314A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910837328.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；上电极层，位于所述欧姆接触层上。本申请可以降低隧穿效应导致的暗电流，提高紫外探测器的信噪比。
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公开(公告)号：CN110544727A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910837320.5
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法，其中，所述滤光膜层位于所述紫外探测器的入射面上的有源区之内，所述滤光膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口；所述滤光膜层包括两个以上的子层，相邻子层的制成材料具有不同的折射率。本申请提供的集成滤光膜层的紫外探测器可以滤掉一定波长范围的紫外光，达到了使紫外探测器对紫外波段的响应具有选择性的目的。
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公开(公告)号：CN110164769A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910537173.X
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓沟道层；在所述n型氧化镓沟道层上分别形成源极和漏极；在所述源极、漏极和n型氧化镓沟道层上生长介质层；将所述介质层中与栅区对应的部分去除，并进行包含至少两种温度的高温退火处理；在n型氧化镓沟道层与栅区对应的区域上制备栅极。上述方法可以改善器件的击穿特性，并保持器件的导通特性不变。
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公开(公告)号：CN109659355A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811488059.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种常关型氧化镓场效应晶体管结构及制备方法，属于半导体器件技术领域，自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层，所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。本发明提供的常关型氧化镓场效应晶体管结构，无需在栅下制备凹槽，而是通过高温氧化形成无电子沟道区，在无电子沟道区上形成栅极，避免了刻蚀损伤和刻蚀深度不可控的问题，提高了饱和电流和击穿电压。
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公开(公告)号：CN109148586A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810935834.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L29/105 , H01L29/2003 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了氧化镓场效应晶体管，包括衬底、沟道层、源极、栅极和漏极；其特征在于，所述沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增；本发明中沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增，沟道层的掺杂浓度不是单一的，距离栅极越近的位置掺杂浓度越低，本发明改善了晶体管的击穿特性，同时提高了饱和电流，实现了具有高饱和电流特性的氧化镓晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615769A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810517505.3
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/16 , H01L29/423 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓MOSFET器件的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括Ga2O3外延片，Ga2O3外延片自上而下依次为沟道层、缓冲层和衬底；采用溅射或蒸发工艺在外延片表面淀积一层多晶硅，并采用高温热氧化将多晶硅转化为SiO2薄膜层；在SiO2薄膜层上均匀覆盖光刻胶，采用干法或者湿法刻蚀的方式去除源区和漏区覆盖的SiO2薄膜层，并采用高温退火或者离子注入的方式在源区和漏区制备源极和漏极；采用金属蒸发剥离的方式制备栅极；在剩余的SiO2薄膜层及制备的栅极的表面生长一层钝化层。本发明提供的氧化镓MOSFET器件的制备方法，能够解决现有技术中存在的栅下介质生长温度低而制备的MOSFET器件不可靠的技术问题。
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公开(公告)号：CN108519174A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810258305.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明提供了一种新型GaN电桥式绝压压力传感器及制作方法，涉及半导体压力传感器器件及其制作方法领域，包括SiC衬底材料部、Ga面材料外延部和N面材料外延部，Ga面材料外延部包括缓冲层和势垒层，缓冲层为GaN，势垒层为InxAlyGa1-x-yN化合物，N面材料外延部为Inx`Aly`Ga1-x`-y`N和GaN`，Ga面材料外延部和N面材料外延部设有衬底薄膜一，衬底薄膜一上为传感器压力敏感电路，传感器压力敏感电路为四个首尾相接的GaN无栅极HEMT器件组成的惠斯顿电桥，SiC衬底材料部背面设有衬底薄膜二，衬底薄膜一和衬底薄膜二键合在一起，形成绝压腔体。该传感器大大提高了压力传感器的灵敏度，实现了高温环境下压力信号的传感。
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公开(公告)号：CN108414121A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810166861.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN压力传感器制备方法及器件，包括将第一硅片与第二硅片贴合形成密封腔体；将衬底上的GaN外延层剥离形成GaN薄膜；其中，GaN外延层由下至上包括GaN缓冲层和势垒层；将所述GaN薄膜与密封腔体键合形成压力传感器基底；在所述GaN薄膜上形成压力敏感单元。本发明通过激光剥离工艺将GaN外延层从衬底上剥离形成GaN薄膜，并在第一硅片上制备凹槽，将第一硅片与第二硅片键合形成密封腔体，然后将GaN薄膜与密封腔体键合，并在GaN薄膜上制备压力敏感单元形成压力传感器，从而实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN108400235A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810167667.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/23 , H01L41/113
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN107968123A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711223203.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种增强型场效应晶体管。该增强型场效应晶体管包括：衬底；沟道层，形成于所述衬底的上表面；源电极和漏电极，分别形成于所述沟道层的两侧；栅电极，形成于所述沟道层的上表面；所述沟道层中栅电极对应区域的之外的区域设有无载流子区；所述无载流子区不存在载流子，所述沟道层的其余部分存在载流子。本发明提供的增强型FET，无载流子区不是设置在于栅电极下，而是设置在沟道层中栅电极对应区域的之外的区域，在形成无载流子区时，不会对栅电极的下表面造成损伤，并且，可以通过调控无载流子区的宽度和数量调控器件的阈值电压，器件开关速度快。
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