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公开(公告)号：CN109437169B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811473682.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法，其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源和氮气，通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料。所述梯度法是将石墨烯生长过程分为低温阶段、升温阶段和高温阶段，分别控制三个阶段的温度、气体流量和压力等条件，使石墨烯在绝缘衬底上均匀分布，褶皱密度可降低至1×10‑5个/μm2以下。
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公开(公告)号：CN107902650B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201711146672.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，该方法包括：将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯。本发明直接在超纳米金刚石膜上生长单层石墨烯，无需二次转移工艺，有效的避免了二次转移过程中引入杂质和晶格缺陷，并且，生长的单层石墨烯具有较小的晶格失配和表面变化。
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公开(公告)号：CN110459463A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910749342.6
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明适用于石墨烯材料技术领域，提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法，包括：获取多块石墨烯介质层薄膜，并将多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗；通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在预设衬底上，得到石墨烯介质层异质结构样品；晾干石墨烯介质层异质结构样品；采用获得石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜，直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。本发明通过预设衬底在去离子水中旋转的方式获得预设层数的石墨烯介质层异质结构，极大的提高了石墨烯介质层异质结构的制作效率，简化了其制作流程。
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公开(公告)号：CN109786233A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910044410.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107910377A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711118404.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。
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公开(公告)号：CN107393815A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710792114.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；在所述金刚石层上制作有源区台面；在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；光照所述光催化剂介质层；在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。本发明能够降低器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN207217546U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721314334.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 本实用新型提供了一种具有p型导电沟道的半导体器件，属于半导体器件领域，包括衬底，衬底的上表面设有高阻金刚石层，高阻金刚层的上表面形成有C-H键；高阻金刚石层的上表面设有具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物作为受主层，在高阻金刚石层与受主层的界面处形成一个异质结，在高阻金刚石层的一侧处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。本实用新型半导体器件，利用具有C-H终端的金刚石与受主层的极化作用，形成二维空穴气。掺杂是由材料本身的极化效应导致，受温度影响极低，在极低温度下亦保持较稳定的掺杂效率；而杂质电离散射的消除也大大的提高了材料中的载流子迁移率，从而使得半导体器件中的载流子迁移率得到了提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207624707U
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201721917470.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/16
Abstract: 本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管，包括：第一金刚石层，所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层，下表面设有阳极电极；其中，所述第一金刚石层为P型重掺杂层，所述第二金刚石层为p型轻掺杂层，且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度；所述第二金刚石层中设有多个凹槽；所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层；所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。本实用新型能够显著提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN207217545U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721313286.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16
Abstract: 本实用新型提供了一种具有n型导电沟道的半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括衬底，衬底的上表面设有高阻金刚石层，高阻金刚石层的上表面设有具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成的第一施主层，在高阻金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在高阻金刚石层一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。本实用新型半导体器件利用金刚石材料表面极性键与第一施主层之间的极化作用，产生二维电子气，使载流子与施主原子相分离，不会受到散射的影响而降低迁移率，来实现高迁移率和高载流子浓度的n型沟道。相较于传统的掺杂形式，可使n型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率分别达到1013cm-2和2000cm2/Vs。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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