公开(公告)号：CN1677624A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059395.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/50 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明提供可以抑制颗粒附着而防止晶片污染的等离子体处理装置以及方法。等离子体处理装置具备对晶片进行等离子体处理的处理室(100)。处理室(100)具备腔室侧壁(110)、上部电极(111)、为了用静电将晶片吸附在ESC台(120)而被埋设的吸附晶片用的ESC电极(120a)、配置在晶片的外周上的聚焦环(121)以及ESC台(120)。在ESC台(120)上，为了用静电将聚焦环(121)吸附在ESC台(120)而埋设吸附FR用的ESC电极(122a)。等离子体处理装置在进行等离子体处理中向ESC电极(120a、122a)供给不同电位的电力。

公开(公告)号：CN1557018A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818626.5

申请日：2002-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山智一 ,  三枝秀仁 ,  冈山信幸 ,  饭室俊一 ,  今福光祐 ,  长山将之 ,  三桥康至 ,  中山博之 ,  黄亚辉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

公开(公告)号：CN1507652A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02809527.8

申请日：2002-04-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  三桥康至 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404

Abstract: 形成包覆膜的包覆剂(51)由环化橡胶－双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室(22)内取出的处理室内部件(50)浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件(50)上分离堆积在处理室内部件(50)上形成的包覆剂(51)的包覆膜上的堆积物(52)。