公开(公告)号：CN110021582A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811509486.6

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  韩成熙 ,  李基硕 ,  金奉秀 ,  黄有商

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明构思提供了一种集成电路器件和制造其的方法。所述集成电路器件可以包括在衬底上方的支撑图案、在衬底上方的下电极图案和电介质结构、以及在电介质结构上的上电极结构。支撑图案可以包括在垂直方向上延伸的第一支撑结构。下电极图案可以在支撑图案与电介质结构之间。下电极图案可以包括彼此间隔开的第一组N个(例如4或更大的整数)下电极，并且可以在垂直方向上延伸到衬底之上的第一水平。电介质结构可以包括在垂直方向上延伸并围绕第一支撑结构和第一组N个下电极的第一电介质突起。上电极结构可以包括围绕第一电介质突起的第一上电极突起。

公开(公告)号：CN110021549A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811451709.8

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭镇 ,  崔民洙 ,  韩成熙 ,  金奉秀 ,  黄有商

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：准备包括具有不同有源区域密度的单元区域和外围区域的衬底；形成单元沟槽，其用于在单元区域中限制单元有源区域，使得单元有源区域被形成为在第一方向上间隔开第一宽度并在第二方向上间隔开第二宽度；形成外围沟槽，其用于在外围区域中限制外围有源区域；以及在单元沟槽中形成第一绝缘层，其在第一方向和第二方向上连续延伸并且接触单元有源区域的侧壁，并且具有等于或大于第一宽度的一半且小于第二宽度的一半的厚度。

公开(公告)号：CN108206181A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711383470.0

申请日：2017-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金大益 ,  黄有商 ,  金奉秀 ,  朴济民

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10897 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4091 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42376 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10885

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元有源区和外围有源区；直接接触件，其排列在形成在所述衬底上的单元绝缘图案上，并且连接至所述单元有源区；位线结构，其包括与所述直接接触件的侧表面接触的薄导电图案；以及外围栅极结构，其位于所述外围有源区。所述外围栅极结构包括外围栅极绝缘图案和外围栅极导电图案的堆叠结构，所述薄导电图案包括第一材料，并且所述外围栅极导电图案包括所述第一材料，并且所述薄导电图案的上表面的水平比所述外围栅极导电图案的上表面的水平更低。