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公开(公告)号：CN109686594B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910049290.1
申请日：2019-01-18
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种钴基双金属硫化物(M‑Co‑S，M=Ni,Fe,Mo,Bi,Zn)负极材料的制备方法及其在水系超级电容器中的应用。以表面长有石墨烯的泡沫镍为基底，钴盐为钴源，M盐作为M源，氟化铵和六次甲基四胺为沉淀剂，硫化钠为硫化剂，两步水热法获得M‑Co‑S薄膜，M‑Co‑S均匀覆盖在长有石墨烯的泡沫镍基底表面。将制备的M‑Co‑S材料组装成三电极体系，在1M KOH电解液中进行电化学性能评价，最大比电容高达2.6 F/cm2(1625F/g)，远高于常用的碳负极材料，说明M‑Co‑S是一种极具应用前景的超级电容器负极材料。
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公开(公告)号：CN109280902B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811132537.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。
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公开(公告)号：CN108447696B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810111574.4
申请日：2018-02-05
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯/导电碳布复合电极的制备方法及在超级电容器上的应用。采用恒电位法，以含有吡咯单体和高氯酸钠（NaClO4）的溶液为电解液，在碳布表面沉积聚吡咯薄膜，该薄膜呈现片状结构。在1 M KOH电解液中，‑1~0V电位窗口范围内对聚吡咯/碳布进行电化学性能评价，并与空白碳布和以泡沫镍为基底承载的聚吡咯(聚吡咯/Ni)进行了性能比较，空白碳布和聚吡咯/Ni复合电极的最大面积比电容为2.29 F/cm2，循环1000次后容量保持率为69.56%，聚吡咯/Ni最大容量仅仅只有0.064F/cm2；而聚吡咯与碳布复合后最大比电容可以达到3.18 F/cm2，循环1000次后，容量保持率高达96.35%，明显优于空白碳布和聚吡咯/Ni。
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公开(公告)号：CN108470623B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810195107.4
申请日：2018-03-09
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明所提供的染料敏化太阳能电池用二氧化硅和氧化锌增透薄膜及其制备方法。采用折射率为1.3的SiO2置于导电玻璃FTO的玻璃表面，折射率为1.9的ZnO置于导电玻璃FTO的导电面，与导电玻璃折射率形成梯度变化，提高导电玻璃的透过率，最终提高染料敏化太阳能电池的效率。本发明所得的增透薄膜既可以提高导电玻璃的透过率，还可以增强电子传输效率，其用于准固态染料敏化太阳能电池，电池光电转化效率可从4.71%提高到5.63%。
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公开(公告)号：CN109817475A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910085059.8
申请日：2019-01-18
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化铋镍正极材料的制备方法及其在水系超级电容器应用。以泡沫镍为基底和镍源，硝酸铋为铋源，硫代乙酰胺为硫源，乙二醇和水的混合溶液为溶剂，采用水热合成法，在120℃-160℃下反应8h，泡沫镍上可均匀生长蜂窝状硫化铋镍，具有较大的比表面积和高导电性。将制备的硫化铋镍材料组装成三电极系统，在1 M KOH电性解能液评中价进，有行明，0显~0的.6氧V电化位还窗原口电范对围。在内电对流硫密化度铋为镍5进mA行/电cm化2时学，最大面积比电容为4.81 F/cm2。样品循环稳定性能好，在电流密度为10 mA/cm2时循环7000次后容量保持率仍高于80%，说明该材料可用作超级电容器正极材料，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107863394B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710971386.4
申请日：2017-10-18
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗单晶硅片；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜；以氢气稀释的硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜；以氢气稀释的硅烷、高纯甲烷和高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜。该方法通过修饰单晶硅表面化学键、调整三层膜中各元素原子浓度比及各层膜厚度，从而提高薄膜钝化效果和减反射特性。
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公开(公告)号：CN106848301B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710142202.3
申请日：2017-03-10
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了Fe2O3纳米棒阵列电极原位硫化及碳包覆的制备方法及应用。首先，以钛片为基底，氯化铁为铁源，硫酸钠为沉淀剂，水热合成法，烧结制得纳米棒状Fe2O3阵列，再以硫脲或硫代乙酰胺为硫化剂，采用溶剂热法对三氧化二铁进行硫化，即可得到Fe2O3‑S，采用等离子增强化学气相沉积法对Fe2O3‑S进行碳包覆，得到Fe2O3‑S@C。在1 M KOH电解液中，原始Fe2O3电极的最大容量仅为13.67 mAh/g，硫化之后提高至214.3 mAh/g，而进一步碳包覆优化可达768.3 mAh/g；100次循环后，Fe2O3‑S的容量保持率仅为7.95%，Fe2O3‑S@C的容量保持率可达92.13%。
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公开(公告)号：CN108715996A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810463751.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/32 , C23C16/513 , C23C16/02 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供了一种高透防刮伤防蓝光纳米薄膜材料以及其制备方法，该材料包括氢化非晶碳化硅薄膜层(a-SiCx:H)、氢化非晶碳薄膜层(a-C:H)和位于两层薄膜中间的过渡层。该材料的制备方法是利用等离子增强化学气相沉积技术，设置一定的沉积参数，首先在基板上沉积硅原子含量为20%～60%的氢化非晶碳化硅薄膜。然后通过不断的改变沉积参数，沉积硅含量逐渐变化的过渡层（硅含量变化：x→0）。最后设置一定的参数，在过渡层上沉积一层氢化非晶碳薄膜。最后经过200～300℃在真空炉中退火。经过此方法制备的纳米薄膜具有高透防刮伤和防蓝光作用，可以应用在眼镜和显示屏中。
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公开(公告)号：CN106683905B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611122791.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种直接生长在泡沫镍基底上的二硫化三镍薄膜电极及其制备方法，以泡沫镍为基底和镍源，以硫脲作为硫化剂，以乙二醇作为溶剂，通过简单的溶剂热法获得直接生长在泡沫镍表面的二硫化三镍薄膜电极。该制备方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模工业化生产。本发明还公开了所述二硫化三镍电极的应用，所述二硫化三镍薄膜电极呈现多孔纳米结构，有利于材料与电解质充分接触；二硫化三镍以泡沫镍作为镍源生长，与基底结合非常牢固，有利于电荷的快速传递，因此得到的二硫化三镍具有很好的倍率性能和优异的循环稳定性，是理想的超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN107863394A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710971386.4
申请日：2017-10-18
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02168
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗单晶硅片；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜；以氢气稀释的硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜；以氢气稀释的硅烷、高纯甲烷和高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜。该方法通过修饰单晶硅表面化学键、调整三层膜中各元素原子浓度比及各层膜厚度，从而提高薄膜钝化效果和减反射特性。
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