公开(公告)号：CN109671775B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201811202940.3

申请日：2018-10-16

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 中野拓真

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

Abstract: 公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。

公开(公告)号：CN116721999A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310188580.0

申请日：2023-03-02

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 五十岚武司 ,  小松嘉英

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明涉及抑制电容器的电特性的劣化的电容器及其制造方法。该电容器具备：基板(10)；第一电极(14)，设于所述基板上；电介质膜(16)，设于所述第一电极上；第二电极(18)，设于所述电介质膜上；第三电极(20)，在下表面中的至少一部分的第一区域(50)与所述第二电极接触；以及有机绝缘体膜(26)，覆盖所述电介质膜的上部、所述第二电极的上部以及所述第三电极，在所述基板的上表面的法线方向上，在所述第三电极的下表面与所述第二电极之间未设置所述有机绝缘体膜。

公开(公告)号：CN109698236B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201811242525.0

申请日：2018-10-24

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 山田文生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 公开了一种实现场板的半导体装置。半导体装置包括源电极、栅电极和漏电极；绝缘膜，至少覆盖漏电极；场板，包括与栅电极重叠的第一部分和不与栅电极重叠的第二部分；以及与源电极连接的源极互连件。本发明的半导体装置的特征在于第一部分和第二部分均与源极互连件电连接。

公开(公告)号：CN108109971B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201711192226.6

申请日：2017-11-24

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 山内康之

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/495

Abstract: 公开了一种半导体模块。该半导体模块包括：其底部包围间隔体的壳体以及在其上安装了半导体元件的布线基板。壳体包括馈通件，其保护传输基板的一端。传输基板的另一端面对布线基板和间隔体。传输基板的所述另一端设置有下端和上端，所述下端和所述上端形成朝向布线基板突出的延伸部。上端被设置为非常靠近布线基板，而下端形成用于接收在间隔体和布线基板之间渗出的多余粘合剂的空间。

公开(公告)号：CN113345978B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202110224233.X

申请日：2021-03-01

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 米田昌博 ,  沖本拓也

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明涉及一种光波导型光探测器。第一半导体层是第一导电类型的。倍增层是第一导电类型的并且被设置在所述第一半导体层上。光波导结构具有端面并且被设置在所述倍增层的第一区域上。光电二极管结构具有端面并且被设置在所述倍增层的第二区域上。所述光电二极管结构具有依次布置的第二导电类型的第三半导体层、本征导电类型的或第二导电类型的光吸收层、第二导电类型的第二半导体层。所述光波导结构包括光波导芯层和包覆层。所述波导型光电二极管结构的所述端面和所述光波导结构的所述端面接触。

公开(公告)号：CN115943563A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050482.X

申请日：2021-10-05

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 藤田清次

IPC: H03F1/30

Abstract: 放大器具备：放大电路(10)，该放大电路的特性随着热过程而发生变化；以及偏置电路(20)，具备经过与所述放大电路的热过程对应的热过程的元件，向所述放大电路供给偏置电压，其中，所述偏置电压基于根据所述元件的热过程发生变化的所述元件的特性而发生变化。

公开(公告)号：CN115881722A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211083129.4

申请日：2022-09-06

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 王业宏 ,  川崎贤人

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供一种能抑制基板的破损的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)，表面(15)具有在第一方向延伸并对置的第一长边(32a)和第二长边(32b)以及在与所述第一方向交叉的第二方向延伸并对置的第一短边(30a)和第二短边(30b)；源极指(12)，设于所述表面；漏极指(16)，设于所述表面；以及栅极指(14)，设于所述表面，夹在所述源极指与所述漏极指之间，在所述基板设有贯通所述基板的过孔(22)，在所述表面，所述过孔与所述源极指连接的区域容纳在所述源极指内，所述过孔的所述第一方向上的最大宽度比所述过孔的所述第二方向上的最大宽度大。

公开(公告)号：CN115836238A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180040765.6

申请日：2021-06-11

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 冲和重 ,  吉村悟士 ,  石井邦幸 ,  川村正信

IPC: G02B6/42 ,  H01S5/022

Abstract: 一个实施方式的光装置(1)具备：光元件(6－9)；套筒(40)，包括插座部(41)和插入部(42)；以及基座(2)，具有下板(2A)和侧壁(2B)，该下板(2A)具有供光元件搭载的主面(2b)，该侧壁(2B)具有供与光元件光耦合的套筒的插入部插入的孔(2g)。在侧壁的孔(2g)的下位置(2h)形成有成为比主面(2b)低的位置的高低差部(2j)。

公开(公告)号：CN115732311A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210835507.3

申请日：2022-07-15

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 宫下耕平

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本公开提供一种能减少晶体缺陷的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：在单晶基板的第一主面形成第一AlN层；通过进行所述第一AlN层的一部分的刻蚀，在所述第一主面之上从所述第一AlN层形成多个AlN晶种；以及使用所述AlN晶种作为生长核，在所述第一主面形成第二AlN层。

公开(公告)号：CN110879441B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201910826263.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 木原利彰

IPC: G02B6/42 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/02251

Abstract: 本发明涉及一种发光模块。公开了一种发光模块，包括半导体发光元件、第一透镜、第二透镜和光纤插针。第一透镜准直从半导体发光元件输出的光。第二透镜是弯月形透镜，并将准直光会聚到光纤插针。第二透镜的光入射面具有其中曲率半径的增加率为零或更大的截面形状。第二透镜的光出射面包括第一区域和第二区域。第一区域具有截面形状，其中曲率半径的增加率的符号是正的。第二区域围绕第一区域并且具有截面形状，其中曲率半径的增加率的符号是负的。