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公开(公告)号：CN116578448A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310474870.1
申请日：2023-04-27
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F11/22
摘要： 本申请实施例提供了芯片掉电日志处理方法及系统，系统包括上位机、主机端和芯片设备端，上位机与至少一个主机端连接，主机端与芯片设备端连接；方法包括上位机向多个主机端发送掉电测试命令，主机端向芯片设备端转发掉电测试命令；芯片设备端执行掉电测试命令并发生掉电操作以生成掉电日志；上位机对多个芯片设备端的掉电日志进行统筹分析，得到日志分析结果；通过上位机向多个主机端同时或分别发送掉电测试命令，而不需要对每个主机端均进行操作，以进行对应芯片设备端的掉电测试，进而提高了效率。
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公开(公告)号：CN116225345B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310507574.7
申请日：2023-05-08
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及数据处理技术领域，特别涉及一种eMMC的数据存储方法、控制器及可读存储介质；eMMC包括用于缓存数据的SLC区域和用于存储数据的TLC区域，数据存储方法包括当接收到读写请求，判断当前SLC区域和TLC区域之间是否正在执行GC操作，并输出判断结果；当判断结果表示SLC区域和TLC区域之间正在执行GC操作，根据读写请求的优先级保持或者中断当前的GC操作；当判断结果表示SLC区域和TLC区域之间没有执行GC操作，执行读写请求。通过判断结果控制GC操作的开关，有效避免读写卡顿问题；通过读写请求的优先级保持或中断当前的GC操作，提高GC操作的灵活调节性，确保数据存储有序进行。
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公开(公告)号：CN116483764A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310369824.5
申请日：2023-04-06
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F13/40
摘要： 本发明实施例提供了一种芯片测试设备热插拔的方法、测试设备和存储介质，该方法包括在所述测试箱门打开的情况下，对所述第一控制接触点和/或第二控制接触点进行电平变化检测；在所述第一控制接触点和/或所述第二控制接触点的电平变化检测结果符合电平变化条件的情况下，控制所述电磁铁上缠绕的线圈的电流，以磁化所述电磁铁并吸住所述测试板的金属块，以固定所述控制板和所述测试板的位置，其中，所述电平变化检测结果符合电平变化条件表征所述测试板以热插拔形式成功插入至所述控制板中。在本实施例的技术方案中，能够确保测试板与芯片老化测试设备的测试板的成功连接，从而能够防止出现芯片测试工作的时间浪费问题。
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公开(公告)号：CN116185892B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310471973.2
申请日：2023-04-27
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/0846
摘要： 本发明公开了一种闪存控制器及其访问闪存颗粒的方法，涉及闪存技术领域。闪存控制器包括：描述符队列，用于获取和存储描述符；任务调度器，用于将描述符队列中符合调度条件的描述符调度出来；任务解析器，用于对任务调度器调度出来的描述符进行解析，形成多个控制指令；执行单元，用于根据多个控制指令，执行对闪存颗粒的访问操作；挂起等待区，用于在控制指令需要等待执行单元的执行结果的时间超过预设时间时，将描述符存放在挂起等待区，使得任务解析器暂停描述符的后续解析任务，并使任务调度器调度符合调度条件的对应其他CE/LUN的描述符。根据本发明的闪存控制器，能够降低CPU的负担和开销。
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公开(公告)号：CN115455892B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211144228.9
申请日：2022-09-20
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398
摘要： 本发明提供一种含低压管模块的版图设计方法，包括版图布局；对所有的低压管区域分别建立低压管模块；对每个低压管模块进行调整；完成低压管模块的内部连线；计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度；确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y；调整非低压管区域的布局；调用低压管模块按竖直方向摆放时对应的版图；完成版图V的设计；将版图V另存为版图H；完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。本发明可以使得含低压管的模块按竖直方向摆放时的版图V和按水平方向摆放时的版图H同时满足边框一致、lef一致、浪费面积小、总体工作量小、无传统设计隐患等要求。
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公开(公告)号：CN116185892A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310471973.2
申请日：2023-04-27
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/0846
摘要： 本发明公开了一种闪存控制器及其访问闪存颗粒的方法，涉及闪存技术领域。闪存控制器包括：描述符队列，用于获取和存储描述符；任务调度器，用于将描述符队列中符合调度条件的描述符调度出来；任务解析器，用于对任务调度器调度出来的描述符进行解析，形成多个控制指令；执行单元，用于根据多个控制指令，执行对闪存颗粒的访问操作；挂起等待区，用于在控制指令需要等待执行单元的执行结果的时间超过预设时间时，将描述符存放在挂起等待区，使得任务解析器暂停描述符的后续解析任务，并使任务调度器调度符合调度条件的对应其他CE/LUN的描述符。根据本发明的闪存控制器，能够降低CPU的负担和开销。
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公开(公告)号：CN116185282A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211639781.X
申请日：2022-12-20
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种闪存虚拟块的分段擦除方法及系统，包括：申请一虚拟块，对虚拟块进行第一次擦除，擦除虚拟块中前两个子虚拟块；将前两个子虚拟块中第一个子虚拟块进行编程填满后，对前两个子虚拟块接下来的子虚拟块进行擦除；按顺序每编程填满一个子虚拟块，再擦除接下来的一个子虚拟块，直到所有子虚拟块都被擦除为止；其中，虚拟块包含若干子虚拟块。本发明将集中的擦除操作分摊到多次小规模的擦除操作，从而有效降低了对虚拟块进行擦除时存储器存在的超时风险，同时能兼顾FTL识别物理坏块和重启后容易找到最后编程页的要求；并且本发明所提供的分段擦除方法，超时风险不会随着虚拟块所包含物理块的增多而增加，从而进一步地降低超时风险。
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公开(公告)号：CN115938442A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211639626.8
申请日：2022-12-20
申请人： 珠海妙存科技有限公司
摘要： 本发明公开一种多场景的闪存数据偏移方法、装置、电子设备及介质，其中，多场景的闪存数据偏移方法包括：在第一场景下，记录闪存的数据块的原始数据；在第二场景下，对数据块的数据页进行偏移设置，得到与数据页对应的偏移数据，其中，第二场景为对第一场景进行场景调节得到；将原始数据与偏移数据进行对比，得到比特翻转信息；对比特翻转信息进行筛选，得到数据页的最佳读电压偏移。在本发明实施例中，能够在任何场景下，准确获取数据页的最佳读电压偏移。
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公开(公告)号：CN115878048A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310170602.0
申请日：2023-02-27
申请人： 珠海妙存科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于NAND Flash随机化的随机序列种子生成方法及其系统，该方法包括计算出待选择原始种子的种子索引；基于种子索引在基础种子库获取原始种子；对获取到的原始种子进行扩展运算，通过扩展参数获得多个扩展操作类型与操作数，基于扩展操作类型与操作数完成种子扩展运算，得到伪随机序列种子；将伪随机序列种子输入伪随机序列生成器，产生伪随机序列；使用伪随机序列进行可逆随机化操作，获得随机化数据或者原始数据。应用本发明在不增加种子存储空间的前提下，提供足够的种子满足更大容量的NAND Flash物理Block对种子数量的需求，同时保证随机化的随机效果。
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公开(公告)号：CN114400037B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111597262.7
申请日：2021-12-24
申请人： 珠海妙存科技有限公司
发明人： 曾裕
摘要： 本发明公开了NAND擦除方法、装置及可读存储介质，该方法包括以下步骤：响应于擦除指令，从第二映射表中查找对应的第二映射项，第二映射项包括：第二属性以及指向第一映射表的地址；确定第二属性是否包括擦除指令操作的第一映射表，得到第一检测结果；根据第一检测结果，查找第二映射项指向的第一映射表，确定第一映射表是否包括擦除指令操作的目标数据，得到第二检测结果；根据第二检测结果擦除目标数据。本发明至少具有以下有益效果：提高NAND擦除的速度。
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