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公开(公告)号：CN116361095B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310643129.3
申请日：2023-06-01
申请人： 珠海妙存科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种功耗验证方法、系统、设备及存储介质，属于存储器技术领域。该功耗验证方法用于对嵌入式存储器进行功耗验证，包括：确定嵌入式存储器的数据传输模块与嵌入式存储器的闪存模块之间开始进行测试数据传输的测试时间点；在测试时间点控制功耗验证装置执行功耗测试启动指令，以使功耗验证装置按照预设的检测周期检测预设组数的功耗数据，得到第一功耗数据；从而根据第一功耗数据确定嵌入式存储器的功耗性能参数。其通过确定所述数据传输模块向所述闪存模块开始进行测试数据传输的测试时间点；使得功耗验证装置进行功耗测试、数据传输模块与闪存模块之间的数据传输尽可能保持同步，从而提升嵌入式存储器的功耗测试的精度。
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公开(公告)号：CN116483764A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310369824.5
申请日：2023-04-06
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F13/40
摘要： 本发明实施例提供了一种芯片测试设备热插拔的方法、测试设备和存储介质，该方法包括在所述测试箱门打开的情况下，对所述第一控制接触点和/或第二控制接触点进行电平变化检测；在所述第一控制接触点和/或所述第二控制接触点的电平变化检测结果符合电平变化条件的情况下，控制所述电磁铁上缠绕的线圈的电流，以磁化所述电磁铁并吸住所述测试板的金属块，以固定所述控制板和所述测试板的位置，其中，所述电平变化检测结果符合电平变化条件表征所述测试板以热插拔形式成功插入至所述控制板中。在本实施例的技术方案中，能够确保测试板与芯片老化测试设备的测试板的成功连接，从而能够防止出现芯片测试工作的时间浪费问题。
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公开(公告)号：CN118737256A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410996155.9
申请日：2024-07-24
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本申请公开了一种存储芯片测试平台及其测试控制方法，涉及存储芯片测试技术领域。存储芯片测试平台包括：上位机、与上位机通信连接的测试治具；测试治具包括：测试座、接口选通模块、测试控制模块、包括DRAM测试接口、EMMC测试接口和UFS测试接口的测试接口模块；方法包括：测试控制模块响应于测试启动指令，确定接入测试座的待测芯片的芯片类型；根据芯片类型从DRAM测试接口、EMMC测试接口、UFS测试接口中确定目标测试接口，并控制接口选通模块工作令目标测试接口与待测芯片连接，通过目标测试接口执行对应的目标测试任务对待测芯片完成测试；返回芯片测试结果。能降低测试成本，简化测试流程，提高芯片量产测试效率。
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公开(公告)号：CN116483764B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310369824.5
申请日：2023-04-06
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06F13/40
摘要： 本发明实施例提供了一种芯片测试设备热插拔的方法、测试设备和存储介质，该方法包括在所述测试箱门打开的情况下，对所述第一控制接触点和/或第二控制接触点进行电平变化检测；在所述第一控制接触点和/或所述第二控制接触点的电平变化检测结果符合电平变化条件的情况下，控制所述电磁铁上缠绕的线圈的电流，以磁化所述电磁铁并吸住所述测试板的金属块，以固定所述控制板和所述测试板的位置，其中，所述电平变化检测结果符合电平变化条件表征所述测试板以热插拔形式成功插入至所述控制板中。在本实施例的技术方案中，能够确保测试板与芯片老化测试设备的测试板的成功连接，从而能够防止出现芯片测试工作的时间浪费问题。
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公开(公告)号：CN116612803A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310569141.4
申请日：2023-05-18
申请人： 珠海妙存科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种闪存的测试方法、系统、装置及存储介质。该方法包括：获取闪存晶圆中的第一出厂块；对第一出厂块进行功能测试，判断第一出厂块是否为运行坏块；运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；若第一出厂块为运行坏块，还原第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块。本发明实施例通过功能测试，发现运行坏块；并对属于运行坏块的第一出厂块进行状态还原处理，缓解了对运行坏块进行标记带来的易混淆问题，有利于提升测试结果的准确度。因此，本发明实施例能够对闪存晶圆进行功能测试，有利于缓解坏块标记的易混淆问题，提升测试结果的准确度；有利于降低测试成本；可广泛应用于芯片测试技术领域。
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公开(公告)号：CN116487276A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310465733.1
申请日：2023-04-26
申请人： 珠海妙存科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种芯片制作方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：准备一基板以及若干个子芯片；所述基板包括第一面以及第二面；所述第一面包括焊接区以及非焊接区；在所述焊接区印刷锡膏以及在所述非焊接区印刷第一胶水，得到第一半成品；所述第一胶水用于填满所述子芯片与所述基板之间的间隙；将所述第一半成品通过焊接工艺、固化工艺以及塑封工艺，得到第二半成品；在所述第一基板的第二面焊接锡球，得到第三半成品；所述第一面与所述第二面沿着垂直于基板放置方向相对设置；将所述第三半成品进行切割，得到目标芯片。本方法可以提高芯片的气密性，改善芯片的质量。本申请可广泛应用于芯片制作技术领域内。
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公开(公告)号：CN116485946A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310465724.2
申请日：2023-04-26
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06T11/60 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06F18/24 , G06Q50/04
摘要： 本申请公开了一种芯片选取方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：获取若干个晶圆；将每个晶圆的子芯片划分为第一子芯片以及第二子芯片；根据所述第一子芯片以及所述第二子芯片，确定每个晶圆对应的子芯片的第一电子地图；将若干个所述第一电子地图叠合为目标芯片的第二电子地图；根据所述目标芯片的第二电子地图，从所述若干个晶圆中选取目标子芯片。本方法可以可以减少人力物力资源的浪费。本申请可广泛应用于芯片制造技术领域内。
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公开(公告)号：CN116721926B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202310628297.5
申请日：2023-05-30
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/485 , H10B41/35
摘要： 本申请提出一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒，封装基板制作方法包括：提供覆盖有第一金属层的第一介质层，在第一金属层制作第一线路图形；在第一金属层的设定区域沉积第一线路保护层，在第一线路保护层上沉积第一铜块；在第一金属层上层压形成第二介质层；在第二介质层上形成第二金属层，在第二金属层制作第二线路图形；制作连通第一线路图形和第二线路图形的导通孔；在第二介质层上开槽，暴露第一铜块；在第二金属层上覆盖第二干膜，蚀刻第一铜块；暴露并电镀位于设定区域的第一线路图形和第二线路图形，形成第一金手指和第二金手指。封装基板制作方法能够简化制成的封装基板的线路图形，同时有助于减小封装基板的尺寸。
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公开(公告)号：CN116485946B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310465724.2
申请日：2023-04-26
申请人： 珠海妙存科技有限公司
IPC分类号： G06T11/60 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06F18/24 , G06Q50/04
摘要： 本申请公开了一种芯片选取方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：获取若干个晶圆；将每个晶圆的子芯片划分为第一子芯片以及第二子芯片；根据所述第一子芯片以及所述第二子芯片，确定每个晶圆对应的子芯片的第一电子地图；将若干个所述第一电子地图叠合为目标芯片的第二电子地图；根据所述目标芯片的第二电子地图，从所述若干个晶圆中选取目标子芯片。本方法可以可以减少人力物力资源的浪费。本申请可广泛应用于芯片制造技术领域内。
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公开(公告)号：CN116487277A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310465748.8
申请日：2023-04-26
申请人： 珠海妙存科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种芯片封装方法、芯片以及集成电路，其中方法包括以下步骤：获取若干片晶圆；将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片。本方法可以通过将子芯片分级，减少各个子芯片的电气参数差异，也可以提高芯片封装成品良率，可以提高芯片的品质，可以减少芯片的封装成本。本申请可广泛应用于芯片封装技术领域内。
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