公开(公告)号：CN111090063B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201911016372.2

申请日：2019-10-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有：自由层(24)，其磁化方向响应于外部磁场而改变；钉扎层(22)，其磁化方向相对于所述外部磁场固定；间隔层(23)，其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应；以及至少一个磁性膜(25)，其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤TC_HM/TC_FL≤1.05，其中TC_HM是所述磁性膜的居里温度并且TC_FL是所述自由层的居里温度。

公开(公告)号：CN109507618B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201811074434.0

申请日：2018-09-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  渡边克

IPC: G01R33/04 ,  G01R33/06 ,  G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明提供一种电流传感器，其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中，通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。

公开(公告)号：CN111722164A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010092230.0

申请日：2020-02-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A～14A)。多个MR元件(11A～14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。

公开(公告)号：CN114063172B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202110891138.5

申请日：2021-08-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  宫下勇人 ,  梅原刚 ,  斋藤祐太

IPC: G01V3/08

Abstract: 本发明的磁传感器系统具备：磁场发生器和磁传感器。磁传感器包括多个MR元件。多个MR元件的各自构成为使得与第1方向正交的第2方向的偏置磁场施加于自由层上，并且电阻值根据磁场分量的强度变化。施加于多个MR元件的各自的磁场分量的最大强度是偏置磁场强度的1.2倍以上。

公开(公告)号：CN115047384A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210227333.2

申请日：2022-03-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/07 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明涉及磁传感器装置、变换器装置和电池装置。磁传感器装置包括：第1检测电路，生成第1检测信号；线圈，通过流过反馈电流而产生消除磁场；第2检测电路，生成与反馈电流的值具有对应关系的第2检测信号；和控制电路，控制反馈电流。在闭环动作中，控制电路控制反馈电流，以使第1检测信号成为一定值。在开环动作中，控制电路将反馈电流维持为一定值。

公开(公告)号：CN114063172A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110891138.5

申请日：2021-08-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  宫下勇人 ,  梅原刚 ,  斋藤祐太

IPC: G01V3/08

Abstract: 本发明的磁传感器系统具备：磁场发生器和磁传感器。磁传感器包括多个MR元件。多个MR元件的各自构成为使得与第1方向正交的第2方向的偏置磁场施加于自由层上，并且电阻值根据磁场分量的强度变化。施加于多个MR元件的各自的磁场分量的最大强度是偏置磁场强度的1.2倍以上。

公开(公告)号：CN114114101B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202110240071.9

申请日：2021-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  梅原刚 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件，其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面，该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴；第一轭部，其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置；以及第一偏置磁场产生部，其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置，第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。

公开(公告)号：CN109307793B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201810843960.2

申请日：2018-07-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R19/00 ,  G01R19/25 ,  G01R33/04 ,  G01R35/00

Abstract: 本发明提供一种偏差推定装置及方法、磁传感器的修正装置以及电流传感器。该偏差推定装置的偏差推定部求出磁传感器的检测值的偏差的推定值。偏差推定部包含初始函数保持部、函数确定部、推定值决定部。初始函数保持部保持初始函数，所述初始函数用于以基准温度时的偏差即基准偏差为第一变量，以温度为第二变量，来确定与第一及第二变量相对应的推定值。函数确定部通过基准偏差，确定初始函数的第一变量的值，将初始函数变成用于决定与第二变量的值相对应的推定值的推定值决定函数。推定值决定部通过温度信息，确定推定值决定函数的第二变量的值，由此决定推定值。

公开(公告)号：CN109724507A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811284589.7

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  斋藤祐太

IPC: G01B7/00 ,  G01B7/02 ,  G01D5/12

Abstract: 本发明涉及一种磁传感器，其具有：元件部，其具有磁阻效应和指向预定方向的磁敏轴；以及软磁性体，其配置在所述元件部附近，并且从所述磁敏轴的方向来看，其沿着除其两个端部以外的部分中的至少一部分面向所述元件部。所述软磁性体具有在所述两个端部向所述元件部突出的突出面。

公开(公告)号：CN109507618A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811074434.0

申请日：2018-09-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  渡边克

IPC: G01R33/04 ,  G01R33/06 ,  G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明提供一种电流传感器，其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中，通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。