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公开(公告)号：CN87105776A
公开(公告)日：1988-02-24
申请号：CN87105776
申请日：1987-07-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。
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公开(公告)号：CN87105843A
公开(公告)日：1988-03-23
申请号：CN87105843
申请日：1987-08-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1272 , C04B35/4682
Abstract: 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，该组合物能提高电容器的电容、绝缘强度并能改善电容器的温度特性。组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分。Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0％(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容的温度特性。
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公开(公告)号：CN1050464A
公开(公告)日：1991-04-03
申请号：CN90108581.2
申请日：1987-07-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种其介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可 钎焊性和抗拉强度优异的边界层型钛酸锶系半导体 陶瓷电容器的制造方法。该电容器有一个由该钛酸 锶系组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面涂上 主要含锌和铝粉的导电糊料，经烘焙形成为有第一导 电层，再在第一导电层上涂上主要含铜粉的导电糊 料，经烘焙形成为第二导电层。
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公开(公告)号：CN1046635A
公开(公告)日：1990-10-31
申请号：CN90103957.8
申请日：1987-07-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1014661B
公开(公告)日：1991-11-06
申请号：CN90103957.8
申请日：1987-07-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明公开了一种以钛酸锶为基料的半导体陶瓷电容器的制造方法，该方法包括：往半导体陶瓷表面涂上第一导电浆料，并烘焙之，以在所述半导体陶瓷体上形成第一导电层。所述第一导电浆料主要选自锌粉和铝粉组成的料组金属粉。此后，在所述第一导电层表面涂上第二导电浆料，并烘焙之，以在所述第一导电层上形成第二导电层。所述第二导电浆料的主要成分为铜。这种电容器电极高度可靠，价格不贵，可钎焊性的抗拉强度优异，且无金属迁移现象。
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公开(公告)号：CN1011838B
公开(公告)日：1991-02-27
申请号：CN87105776
申请日：1987-07-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的钛酸锶系半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该组合物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为组合成物的0.1至0.4克分子%。该电容器有一个由该组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。
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公开(公告)号：CN1010352B
公开(公告)日：1990-11-07
申请号：CN87106154
申请日：1987-09-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1281 , C04B35/47
Abstract: 边界绝缘型半导体陶瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成，能使该电容器呈观有所增加的介电常数、令人满意的频率特性和温度特性以及有所降低的介质损耗。该组成包括SrTiO3基本组分和由CaTiO3、Y和Nb组成的次要组分。该组成还含Mn和SiO2。它们分别能增加电容器的绝缘电阻和扩大(SrO+CaO)/TiO的适用范围。此外，还有一种组成包含SrTlO3基本组分和由CaTiO3、BaTiO3，Y和Nb组成的次要组分。
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公开(公告)号：CN1009873B
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：CN87105843
申请日：1987-08-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1272 , C04B35/4682
Abstract: 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，这组合物能提高电容器的电容，绝缘强度并能改善电容器的温度特性，组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.1到3.0%(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容器的温度特性。
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公开(公告)号：CN87106154A
公开(公告)日：1988-03-16
申请号：CN87106154
申请日：1987-09-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1281 , C04B35/47
Abstract: 边界绝缘型半导体陶瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成；能使该电容器呈现有所增加的介电常数、令人满意的频率特性和温度特性以及有所降低的介质损耗。该组成包括SrTiO3基本组分和由CaTiO3、Y和Nb组成的次要组分。该组成还含Mn和SiO2，它们分别能增加电容器的绝缘电阻和扩大(SrO+CaO)/TiO的适用范围。此外，还有一种组成包含SrTiO3基本组分和由CaTiO3、BaTiO3，Y和Nb组成的次要组分。
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