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发明公开
半导体陶瓷合成物和半导体陶瓷电容器失效

公开(公告)号：CN87105776A

公开(公告)日：1988-02-24

申请号：CN87105776

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 , 板垣秋一 , 矢作正博 , 古川喜代志 , 藤原忍 , 及川泰仲

IPC: H01B3/12 , C04B35/00 , H01G4/12 , H01L29/95

Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。

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