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公开(公告)号：CN1466006A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN02140183.7
申请日：2002-07-03
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al－Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al－Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。
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公开(公告)号：CN1273858C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200310116504.1
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L27/00 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形(24、25)从蚀刻掩模的光致抗蚀剂(51)后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜(38)。这样一来，在蚀刻半导体层(23)以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1479138A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02132130.2
申请日：2002-08-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343
Abstract: 本发明提供了一种用于制造反射型液晶显示器的方法，它能够减少反射型液晶显示器中所使用的薄膜晶体管的制造工序的数目。在这种液晶显示器中，待与薄膜晶体管的源极连接的反射电极以及待与终端部分下层金属膜连接的终端部分连接电极被同时形成在含有多个凸起和凹入部分的有机绝缘膜上。作为反射电极和终端部分下层金属膜的材料，本发明采用了含有0.9％原子或更多Nd的Al－Nd(铝－钕)合金，它具有优良的抗腐蚀特性。
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公开(公告)号：CN1282024C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02140183.7
申请日：2002-07-03
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786
Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al-Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al-Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。
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公开(公告)号：CN1255700C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02132130.2
申请日：2002-08-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供了一种用于制造反射型液晶显示器的方法，它能够减少反射型液晶显示器中所使用的薄膜晶体管的制造工序的数目。在这种液晶显示器中，待与薄膜晶体管的源极连接的反射电极以及待与终端部分下层金属膜连接的终端部分连接电极被同时形成在含有多个凸起和凹入部分的有机绝缘膜上。作为反射电极和终端部分下层金属膜的材料，本发明采用了含有0.9%原子或更多Nd的Al-Nd(铝-钕)合金，它具有优良的抗腐蚀特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1716022A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510083614.1
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃－170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1％或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺陷。
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公开(公告)号：CN1226659C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02130565.X
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃-170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1%或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN1504818A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310116504.1
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L27/00 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形24、25从蚀刻掩模的光致抗蚀剂51后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜38。这样一来，在蚀刻半导体层23以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1475852A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02130565.X
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃－170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1％或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN100437251C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510083614.1
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃-170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1%或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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