公开(公告)号：CN1504818A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310116504.1

申请日：2003-11-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 松下英和 ,  加藤刚 ,  土居悟史 ,  前田明寿

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形24、25从蚀刻掩模的光致抗蚀剂51后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜38。这样一来，在蚀刻半导体层23以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。

公开(公告)号：CN1273858C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200310116504.1

申请日：2003-11-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 松下英和 ,  加藤刚 ,  土居悟史 ,  前田明寿

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形(24、25)从蚀刻掩模的光致抗蚀剂(51)后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜(38)。这样一来，在蚀刻半导体层(23)以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。