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公开(公告)号：CN106465530B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201580016675.8
申请日：2015-03-19
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 用于生成等离子体的装置包括等离子体放电管和导电盘管，导电盘管成螺旋状缠绕在等离子体放电管的外表面周围。波导联接至微波腔体部，所述微波腔体环绕等离子体放电管以将微波能量引导至等离子体放电管中，从而使得在等离子体放电管中生成等离子体。波导部布置成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵轴线定向成预定角度。导电盘管中所得的感应电流影响等离子体放电管中的功率吸收，预定角度可选择成使得等离子体放电管中的功率吸收取决于相对于等离子体放电管的纵轴线的预定分布图。
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公开(公告)号：CN106465530A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580016675.8
申请日：2015-03-19
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32229 , H01J37/32201 , H01J37/32311 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 用于生成等离子体的装置包括等离子体放电管和导电盘管，导电盘管成螺旋状缠绕在等离子体放电管的外表面周围。波导联接至微波腔体部，所述微波腔体环绕等离子体放电管以将微波能量引导至等离子体放电管中，从而使得在等离子体放电管中生成等离子体。波导部布置成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵轴线定向成预定角度。导电盘管中所得的感应电流影响等离子体放电管中的功率吸收，预定角度可选择成使得等离子体放电管中的功率吸收取决于相对于等离子体放电管的纵轴线的预定分布图。
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公开(公告)号：CN103038399B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180027467.X
申请日：2011-06-01
Applicant: MKS仪器股份有限公司
CPC classification number: C25D11/04 , C23C28/321 , C25D5/48 , C25D11/026 , C25D11/16 , H01J37/16 , H01J37/32357 , H01J37/32431 , H01J37/32467
Abstract: 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。
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公开(公告)号：CN103038399A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180027467.X
申请日：2011-06-01
Applicant: MKS仪器股份有限公司
CPC classification number: C25D11/04 , C23C28/321 , C25D5/48 , C25D11/026 , C25D11/16 , H01J37/16 , H01J37/32357 , H01J37/32431 , H01J37/32467
Abstract: 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。
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