公开(公告)号：CN107026218A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710054307.3

申请日：2017-01-24

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑珠华 ,  安俊勇 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/024 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/186 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/324

Abstract: 根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。

公开(公告)号：CN110061096A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910303829.1

申请日：2017-01-24

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑珠华 ,  安俊勇 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 制造太阳能电池的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。

公开(公告)号：CN103515477B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201310168313.3

申请日：2013-05-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑珠华 ,  珍龙德 ,  梁荣成 ,  河万孝

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种制造太阳能电池及其掺杂层的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的掺杂层的方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物。在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以第一温度对基板进行热处理。

公开(公告)号：CN107026218B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201710054307.3

申请日：2017-01-24

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑珠华 ,  安俊勇 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/324

Abstract: 根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。

公开(公告)号：CN103515477A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310168313.3

申请日：2013-05-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑珠华 ,  珍龙德 ,  梁荣成 ,  河万孝

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种制造太阳能电池及其掺杂层的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的掺杂层的方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物。在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以第一温度对基板进行热处理。