测量光盘厚度的方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100554871C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN03824795.X

    申请日:2003-06-24

    IPC分类号: G01B11/06

    摘要: 本发明公开了一种利用光盘层的干涉效应来测量光盘厚度的方法,该方法包括:根据光的波长来检测反射光的强度并将其作为每个波长的光谱数据;将检测到的每个波长的光谱数据转换成作为反映了折射率的波长的函数的光谱值;以及通过傅立叶变换将该转换的值转换成干涉区的长度来代表光盘的层厚,检测反射光的强度具有峰值处的位置,分别作为衬底层和覆盖层的厚度。本发明所公开的方法在高精度测量光盘厚度方面具有优点。

    测量光盘厚度的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1695039A

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN03824795.X

    申请日:2003-06-24

    IPC分类号: G01B11/06

    摘要: 本发明公开了一种利用光盘层的干涉效应来测量光盘厚度的方法,该方法包括:根据光的波长来检测反射光的强度并将其作为每个波长的光谱数据;将检测到的每个波长的光谱数据转换成作为反映了折射率的波长的函数的光谱值;以及通过傅立叶变换将该转换的值转换成干涉区的长度来代表光盘的层厚,检测反射光的强度具有峰值处的位置,分别作为衬底层和覆盖层的厚度。本发明所公开的方法在高精度测量光盘厚度方面具有优点。

    相变光盘的记录方法和在相变光盘上记录数据的装置

    公开(公告)号:CN100461274C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200480026655.0

    申请日:2004-09-16

    IPC分类号: G11B7/0045

    摘要: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长,通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔,并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中,为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化,用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中,用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大,最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。

    相变光盘的记录方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1853219A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200480026655.0

    申请日:2004-09-16

    IPC分类号: G11B7/0045

    摘要: 本发明揭示了一种相变光盘的记录方法。为了防止晶体材料从预定标记(例如4T或更长的标记)的前端开始生长,通过相对参考时钟延迟多个脉冲来增大用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔,并且增加多个脉冲的宽度或电平。在另一实施例中,为了防止由于第一脉冲和多个脉冲之间的间隔的增大引起的开始位置的变化,用于形成3T或更长的标记的写脉冲中的最后脉冲被提前一预定时间段。在又一个实施例中,用于形成4T或更长的标记的写脉冲中的第一脉冲和多个脉冲之间的间隔被增大,最后脉冲的开始位置和宽度、后沿冷却时间偏移被根据标记的长度单独地调整。