一种升降式检测装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117628317A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311506154.3

    申请日:2023-11-13

    Abstract: 本发明提供一种升降式检测装置,包括:剪叉机构、驱动件、视觉检测单元、基座和承载件;所述剪叉机构的一端与所述基座连接,所述剪叉机构的另一端与所述承载件连接,所述视觉检测单元设于所述承载件,所述剪叉机构包括相互铰接的第一剪叉臂和第二剪叉臂;所述驱动件与所述第一剪叉臂和所述第二剪叉臂中的一者连接,所述驱动件驱动所述剪叉机构在展开状态和收拢状态之间切换,以带动所述视觉检测单元沿竖直方向升降。本发明的升降式检测装置,驱动件通过驱动两个剪叉臂中的一者转动,使得两个剪叉臂绕铰接轴转动,以展开或收拢剪叉机构,进而带动视觉检测单元沿竖直方向升降,能够灵活地对视觉检测单元的高度进行调整,有利于提升检测的精确性。

    一种倒装结构Micro-LED芯片制造方法

    公开(公告)号:CN117080334A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311116175.4

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 一种倒装结构Micro‑LED芯片制造方法,由隧穿结限制电流路径、提升载流子注入效率的倒装结构Micro‑LED芯片制造方法。具体为:在衬底上生长Micro‑LED外延层,包括:n‑GaN层、超晶格应力释放层、多量子阱有源区、p‑GaN层、电子阻挡层、隧穿层和n‑GaN包覆层,隧穿层包括重掺杂的p++InGaN和n++InGaN,二者之间形成隧穿结,可以限制Micro‑LED中的垂直电流路径,利用载流子隧穿效应降低接触电阻,提高载流子注射效率,并进而提升Micro‑LED发光性能,同时将Micro‑LED芯片设计为倒装结构,可以提高芯片的取光效率、光电性能和热稳定性能。

    冷热交替硬岩顶管施工装备及方法

    公开(公告)号:CN119507931A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411386885.3

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本发明提供一种冷热交替硬岩顶管施工装备及方法,侧限掘进装置设置在顶管前端,钻进形成环形凹槽;侧限掘进装置的结构包括:固定环座、驱动座、滑动支座和钻头驱动装置;固定环座为环形筒状结构,固定环座位于顶管前端;驱动座为环形筒状结构,驱动座位于固定环座内,并与固定环座可相对转动的连接,还设有公转驱动装置,以驱动驱动座旋转;滑动支座为环状筒形结构,滑动支座位于驱动座内,并由驱动座驱动旋转,同时滑动支座由伸缩油缸驱动沿轴向往复运动,在滑动支座上靠近边缘的位置设有钻头驱动装置,钻头驱动装置用于与钻头连接,钻头的工作面朝向掌子面,钻头的直径与环形凹槽的槽宽相同。采用冷热交替的方式大幅提高环形凹槽的掘进效率。

Patent Agency Ranking