公开(公告)号：CN113097310B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110362550.8

申请日：2021-04-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄元熙 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低Ron,sp，最终提高了Baliga优值FOM。

公开(公告)号：CN111326576B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202010092899.X

申请日：2020-02-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄元熙 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及一种具有纵向分离阳极结构的SALIGBT器件，属于半导体功率器件领域。本发明将传统SA‑LIGBT的N+阳极和P+阳极分离，将N+阳极设置在器件内部，通过增加N+阳极的纵向深度，延长单极性导电模式下电子的流动路径；N+阳极下方P型浮空层可以增大器件的阳极分布电阻，通过调节N+阳极的纵向深度和P型浮空层的掺杂浓度，完全消除snapback效应。本发明利用了器件的纵向长度减少芯片面积；正向导通时，新结构LIGBT的正向导通压降为0.91V，相比于分离阳极短路型LIGBT和常规阳极短路LIGBT分别减少了6.2％和24％；关断时，N+阳极可以快速抽取漂移区中的电子，其关断时间为370ns，相比于传统LIGBT和介质隔离型LIGBT减少了82％和23％。

公开(公告)号：CN111834449A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010731321.4

申请日：2020-07-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  黄元熙 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明涉及一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、集电极接触区4、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16、集电极氧化层17、场截止环接触区18、场截止环19、集电极P-base20。本发明在保证消除正向导通时的负阻效应的前提下，具有相对较快的关断速度和较低的Von、良好的反向导通性能及600V以上的耐压能力，提高了器件的工作稳定性和电流能力。

公开(公告)号：CN109920840B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910213984.4

申请日：2019-03-20

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明涉及一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，以L型SiO2隔离层为界，分为LDMOS区和LIGBT区，工作过程中具有以下优点：(1)降低了器件电场尖峰，避免了在器件表面提前击穿，从而提高了击穿电压；(2)在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态，无电流突变情况；(3)在反向导通时，LDMOS区独立工作，N‑Collector提供电子，发射极反向偏压下P‑body直接注入空穴到漂移区，赋予器件逆向双极模式的导通能力。经过相同参数条件下经仿真验证，本发明复合型RC‑LIGBT器件的击穿电压提高到206.05V；无Snapback现象、同时还具有反向导通能力。

公开(公告)号：CN111755523A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010657905.1

申请日：2020-07-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄元熙 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括源极接触区、栅源隔离氧化层、栅氧化层、栅极接触区、场氧化层、漏极接触区、源极P+区、源极、漏极、P-body、N型漂移区、埋氧层、衬底、低阻N型电子通道和超结区；低阻N型电子通道左边紧邻P-body右侧上部，右边靠近漏极的左侧，上方从左至右依次靠近栅氧化层下方的右侧部分和场氧化层的下方，下方与超结区接壤；超结区左侧紧邻P-body右侧下部，右侧紧邻N型漂移区，下方紧邻埋氧层。本发明在提高漂移区浓度，降低Ron,sp的同时，还能增加击穿电压。

公开(公告)号：CN110504307A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910803499.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄义 ,  张宏升 ,  贺利军 ,  周通 ,  高广 ,  李心纪

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，属于电子器件领域。该器件从左至右包括设置的发射极、栅极、N型漂移区、栅控集电极区域。栅控集电极区域从左至右包括N-buffer Ⅰ缓冲层、P-collector、N-buffer Ⅱ缓冲层、P型电子阻挡层P-base和N-collector。P型电子阻挡层P-base和N-collector下方为横向的槽型栅。正向导通时，P型电子阻挡层P-base可以阻挡电子流向N-collector，增加集电极短路电阻。通过调节P型电子阻挡层P-base的长度和浓度，可以调节集电极短路电阻，消除snapback效应。关断时，P型电子阻挡层会在栅控电压下反型成N型，形成电子通道，提高载流子抽取效率从而有效减少器件的关断时间。

公开(公告)号：CN111834449B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202010731321.4

申请日：2020-07-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  黄元熙 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明涉及一种具有背面双MOS结构的快速关断RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、集电极接触区4、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16、集电极氧化层17、场截止环接触区18、场截止环19、集电极P‑base20。本发明在保证消除正向导通时的负阻效应的前提下，具有相对较快的关断速度和较低的Von、良好的反向导通性能及600V以上的耐压能力，提高了器件的工作稳定性和电流能力。

公开(公告)号：CN110571264B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201910877635.2

申请日：2019-09-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄元熙 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，属于功率半导体器件领域。本发明的多通道电流栓的SA‑LIGBT器件主要是在器件的集电极区域设置n个横向P柱，形成多个电子通道，构成电流栓结构，具有以下作用：(1)正向导通时，电流栓相对于对电子电流呈关闭状态，使得晶体管的集电极短路电阻增大，从而完全消除传统SA‑LIGBT的snapback效应；(2)正向导通时降低压降Von；(3)关断时，P柱之间形成的三条电子通道可有效提高电子的抽取效率，减少关断时间。

公开(公告)号：CN112466935B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011481591.0

申请日：2020-12-15

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  林徐葳 ,  李顺 ,  黄垚 ,  贺利军 ,  黄义

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及一种具有集电极多晶硅电子通道的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件具有以下三个特点：(1)将传统RC‑IGBT的P集电极区分割成高浓度的P+空穴区和低浓度的P型电子阻挡层两段。(2)N+集电极设置在高浓度的P+空穴区内。(3)集电极底部引入N型多晶硅层。正向导通时，通过调整多晶硅层和P型电子阻挡层的掺杂，可以改变集电极短路电阻RCS，从而完全消除snapback效应；关断时，多晶硅层可以快速提取电子，有效降低关断损耗；仿真结果表明：与TRC RC‑IGBT相比，该器件正向导通时完全消除了snapback效应，且在同样正向导通压降为2.8V时，其关断损耗Eoff降低了59％。

公开(公告)号：CN110504307B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201910803499.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄义 ,  张宏升 ,  贺利军 ,  周通 ,  高广 ,  李心纪

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有栅控集电极的SA‑LIGBT器件，属于电子器件领域。该器件从左至右包括设置的发射极、栅极、N型漂移区、栅控集电极区域。栅控集电极区域从左至右包括N‑buffer Ⅰ缓冲层、P‑collector、N‑buffer Ⅱ缓冲层、P型电子阻挡层P‑base和N‑collector。P型电子阻挡层P‑base和N‑collector下方为横向的槽型栅。正向导通时，P型电子阻挡层P‑base可以阻挡电子流向N‑collector，增加集电极短路电阻。通过调节P型电子阻挡层P‑base的长度和浓度，可以调节集电极短路电阻，消除snapback效应。关断时，P型电子阻挡层会在栅控电压下反型成N型，形成电子通道，提高载流子抽取效率从而有效减少器件的关断时间。