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公开(公告)号：CN117200770A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311221531.9
申请日：2023-09-21
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/041 , H03K17/14 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种防止温漂的MOS器件栅极驱动方法及驱动电路，包括：当电路中的开关器件需要开通时，向开关器件的栅极输入开通栅极电压；当电路中的开关器件需要关断时，输入开关器件栅极的电压变为第一关断栅极电压，以保证开关器件的快速关断，在开关器件关断稳态后，将输入开关器件栅极的电压变为第二关断栅极电压，以抑制开关器件的阈值漂移，在开关器件存在动态扰动时，输入开关器件栅极的电压变为第一关断栅极电压，以增强开关器件的抗串扰能力。本发明通过采用开通栅极电压、关断栅极电压一和关断栅极电压二共三个栅极驱动电压的方式，不仅可抑制碳化硅器件的阈值漂移，还能保留各种工况下负关断电压的抗串扰能力强、关断速度快等优势。
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公开(公告)号：CN116840648A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310938248.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法，它包括栅极大电流驱动电路和主电路；主电路包括MOS3、被测器件、驱动脉冲发生器VGS、电容C2、电阻RG和R4，以及高压直流电压源V2；栅极大电流驱动电路与MOS3的栅极连接，用于控制MOS3快速开通和关断，并将MOS3的栅极电压钳制在安全值，以及调节主电路dv/dt的大小；在MOS3开通的瞬间，电容C2的一端被强制接地，使得电容C2两端电压被迅速施加到被测器件两端，进而产生大的dv/dt脉冲电压。本发明可靠性更高，dv/dt脉冲电压大小可调节，间接测量的观测方式对测试设备的精度要求不高，可以大幅降低测试设备成本，可实现性高。
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公开(公告)号：CN116436450A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310317854.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H02M1/08 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置。栅极驱动电路，包括：第一驱动电路，用于在切换控制节点的电压处于有效电平状态时，根据驱动信号输入端提供的有效驱动电压向被驱动器件的栅极提供有效电压，根据驱动信号输入端提供的无效驱动电压向被驱动器件的栅极提供无效电压；第二驱动电路，用于在切换控制节点的电压处于无效电平状态且驱动信号输入端提供无效驱动电压时，根据辅助电压端的电压向被驱动器件的栅极提供中间电压，其中，中间电压介于无效电压与被驱动器件的阈值电压之间，且不含两端端点；切换控制电路，用于对驱动信号输入端的电压进行低通滤波后提供给切换控制节点。
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公开(公告)号：CN112531694B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011360850.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 重庆大学
Inventor： 周敬森 , 魏金萧 , 谢刚文 , 冉立 , 张友强 , 蒋华平 , 朱小军 , 胡嘉渝 , 方辉 , 朱晟毅 , 肖强 , 余亚南 , 向红吉 , 董光德 , 马兴 , 付昂 , 杨爽 , 王瑞妙 , 赵小娟
Abstract: 本发明公开了一种基于数字孪生技术的交直流混合电网全域实时模拟方法，首先对于电网原始数据进行采集，采用时间序列的数据清洗方法对电网原始数据进行预处理，接着基于高斯分布函数和一元线性函数的组合分段函数模拟和预测风电出力特性、基于正态分布函数模拟光伏电站出力特性，再通过将子模块电力电子开关等效为其导通电阻的方式建立交直流混合电网孪生模型。本发明在不降低模型计算准确性的前提下，通过将子模块电力电子开关等效为其导通电阻的方式，提升交直流混合电网的微秒级建模分析的效率；建立了一套高适应性的新能源建模方法，适用于不同领域及地理环境，提升了新能源出力预测的便捷性，提升模型运行效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066785A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110292578.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体模块结构及其子单元和制作方法，属于功率半导体器件领域。包括绝缘框架和从下至上依次堆叠于绝缘框架内的银片、下钼片、芯片和上钼片；绝缘框架上设置有弹簧针，弹簧针与芯片的栅极相连；下钼片接触芯片的表面开设有水平贯通的沟槽，光纤穿过沟槽，并且沟槽内的光纤上集成有一个以上的光栅。可以方便地实现对器件封装内部芯片结温的分布式在线实时测量。而且，光纤光栅体积小，重量轻，对结构影响小，易于布置；只需在正常的封装过程中，增加光纤光栅的安装步骤。光纤制作材料的电绝缘性好，集成后不影响压接型功率半导体模块本身的结构及功能。
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公开(公告)号：CN113834527B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202111110073.2
申请日：2021-09-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法，属于功率半导体器件领域。该结构包括外壳和多个并列子单元；子单元包括顶板、柔性组件、银片、钼片、芯片和基板；柔性组件包括碟簧组和导电铜片，导电铜片的中间设有薄铜片；薄铜片的侧表面开设有沟槽，沟槽内安装有光纤应变计和光纤温度计，其中光纤温度计用于光纤应变计的温度补偿。本发明实现了压接型功率半导体模块内部压力的实时测量，测量灵敏度高。
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公开(公告)号：CN118655438A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410870252.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种测试电路及其工作方法，测试电路包括：脉冲驱动器、源测量单元、被测器件、第一接地端和第二接地端，被测器件的源极和脉冲驱动器的第一端连接；漏极端子与源极端子，源极端子和第二接地端连接；连接单元；第一开关部、第二开关部和第三开关部；第一开关部配置为将被测器件的栅极与脉冲驱动器的第二端连接的状态以及被测器件的栅极与连接单元连接的状态进行切换；第二开关部配置为将被测器件的漏极和连接单元连接的状态以及被测器件的漏极和漏极端子连接的状态进行切换；第三开关部配置为将连接单元与第一接地端连接的状态以及连接单元与源测量单元连接的状态进行切换。提高了对阈值电压稳定性评估的测量精度。
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公开(公告)号：CN116718884B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310457863.0
申请日：2023-04-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本公开提供一种绝缘栅型半导体器件的导通压降检测电路、设备和电力变换装置。导通压降检测电路，包括：测量电路，具有串联连接的可变电阻器和采样电阻，所述可变电阻器与所述采样电阻所在串联支路的两端分别连接被测器件的第一极和第二极；其中，所述被测器件为绝缘栅型半导体器件；其中，在所述被测器件的第一极与第二极之间的电压差为其工作电压差的情况下，并且所述可变电阻器的电流值与所述可变电阻器两端的电压值正相关，并且所述可变电阻器的电阻值与所述可变电阻器两端的电压值正相关，并且所述采样电阻两端电压绝对值与所述被测器件的第一极和第二极之间的电压绝对值正相关。
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