公开(公告)号：CN103087714B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310025094.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  徐永燕 ,  李武林 ,  罗彬彬 ,  杨文静

IPC: C09K11/81

Abstract: LED用单一基质白光荧光粉及其制备方法。荧光粉化学表达式为：Na2.5Tb0.5Mg7(PO4)6:xEu,yMn,其中0

公开(公告)号：CN103088371A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310030322.6

申请日：2013-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  罗彬彬 ,  李先丽 ,  李晓林 ,  李武林

IPC: C25C5/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 纳米铜立方体颗粒的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.02～0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2～0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%～4%，电镀液pH值为5.0～7.5；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。根据本发明方法所制备的纳米铜立方体纯度高、形状规则、颗粒大小均匀并且抗氧化性优良。

公开(公告)号：CN103087714A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310025094.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  徐永燕 ,  李武林 ,  罗彬彬 ,  杨文静

IPC: C09K11/81

Abstract: LED用单一基质白光荧光粉及其制备方法。荧光粉化学表达式为：Na2.5Tb0.5Mg7(PO4)6:xEu,yMn,其中0

公开(公告)号：CN103132111B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310030324.5

申请日：2013-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  罗彬彬 ,  赖川 ,  张代雄 ,  杨文静

IPC: C25D1/08

Abstract: 三维微米级多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.08～0.2mol/L、H2SO4含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl-含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔铜薄膜不仅孔径均匀、孔径小且孔隙率高。

公开(公告)号：CN103132111A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310030324.5

申请日：2013-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  罗彬彬 ,  赖川 ,  张代雄 ,  杨文静

IPC: C25D1/08

Abstract: 三维微米级多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.08～0.2mol/L、H2SO4含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl-含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔铜薄膜不仅孔径均匀、孔径小且孔隙率高。

公开(公告)号：CN103088371B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201310030322.6

申请日：2013-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  罗彬彬 ,  李先丽 ,  李晓林 ,  李武林

IPC: C25C5/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 纳米铜立方体颗粒的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.02～0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2～0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%～4%，电镀液pH值为5.0～7.5；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。根据本发明方法所制备的纳米铜立方体纯度高、形状规则、颗粒大小均匀并且抗氧化性优良。

公开(公告)号：CN103087712A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310025073.1

申请日：2013-01-23

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  徐永燕 ,  李武林 ,  罗彬彬 ,  杨文静

IPC: C09K11/71 ,  H01L33/50

Abstract: 单一基质白光荧光粉及其制备方法。荧光粉化学表达式为：(SryBa1-x-y)(MgmZn1-m-p-q)2(PO4)2:xEu,pMn,qTb，其中0

公开(公告)号：CN203033774U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201220719615.6

申请日：2012-12-24

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  李晓林 ,  杨文静 ,  吴友恒 ,  罗彬彬 ,  徐永燕

IPC: C01B33/107

Abstract: 本实用新型公开了一种四氯化硅制备三氯氢硅的微波等离子体反应装置，包括：带有加热装置的四氯化硅储罐；氢气储罐；氩气储罐；具有保温功能的混合气体储罐，与四氯化硅储罐和氢气储罐相连；微波等离子体反应器，分别与混合气体储罐和氩气储罐相连；微波等离子发生器，通过微波匹配器与微波等离子体反应器的波导腔相连；除尘器，与微波等离子体反应器的反应腔相连；冷凝器，与除尘器相连；气液分离器，与冷凝器相连，冷凝器冷凝得到的液体进入气液分离器；气体分离塔，与冷凝器相连，冷凝器中未冷凝的气体进入气体分离塔。本实用新型一次转化率高、能耗低、原料可重复利用、系统及设备结构简单。

公开(公告)号：CN203173828U

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201220719570.2

申请日：2012-12-24

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  郭威 ,  李晓林 ,  杨文静 ,  吴友恒 ,  罗彬彬 ,  徐永燕

IPC: C01B33/107

Abstract: 本实用新型公开了一种由四氯化硅氢化生产三氯氢硅的装置，包括：带有加热装置的四氯化硅储罐；氢气储罐；氩气储罐；具有保温功能的混合气体储罐，分别连接四氯化硅储罐、氢气储罐和氩气储罐；氢化反应器，通过装有计量阀门的管道与混合气体储罐相连；射频发生器，射频发生器线圈缠绕在氢化反应器上；除尘器，与氢化反应器相连，氢化反应器中的气体通过压力差进入除尘器；冷凝器，与除尘器相连，除尘器过滤后气体靠压力差进入冷凝器；气液分离装置，与冷凝器相连，冷凝器冷凝得到的液体进入气液分离装置；气体分离塔，与冷凝器相连，冷凝器中未冷凝的气体进入气体分离塔。本实用新型一次转化率高、能耗低、原料可重复利用、系统及设备结构简单。