公开(公告)号：CN103132111B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310030324.5

申请日：2013-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  罗彬彬 ,  赖川 ,  张代雄 ,  杨文静

IPC: C25D1/08

Abstract: 三维微米级多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.08～0.2mol/L、H2SO4含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl-含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔铜薄膜不仅孔径均匀、孔径小且孔隙率高。

公开(公告)号：CN103132111A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310030324.5

申请日：2013-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  罗彬彬 ,  赖川 ,  张代雄 ,  杨文静

IPC: C25D1/08

Abstract: 三维微米级多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.08～0.2mol/L、H2SO4含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl-含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔铜薄膜不仅孔径均匀、孔径小且孔隙率高。