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公开(公告)号：CN1250452C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01811516.0
申请日：2001-02-20
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 提供制备烷基卤硅烷的方法，该方法包括将硅和某种形式的铜在高于约500℃的温度下热处理，产生接触物质，在所述接触物质存在下，使烷基卤和硅反应，生成烷基卤硅烷。
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公开(公告)号：CN1132217A
公开(公告)日：1996-10-02
申请号：CN95116933.5
申请日：1995-08-31
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08K9/04 , C08G77/20 , C08G77/32 , C08G77/44 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/00 , C08L2666/54 , C08L2666/34
Abstract: 本发明涉及使用填料处理，制备不含亚硝胺的硅氧烷制品的方法。
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公开(公告)号：CN1437562A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811516.0
申请日：2001-02-20
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 提供制备烷基卤硅烷的方法，该方法包括将硅和某种形式的铜在高于约500℃的温度下热处理，产生接触物质，在所述接触物质存在下，使烷基卤和硅反应，生成烷基卤硅烷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1192452A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN98107144.9
申请日：1998-03-03
Applicant: 通用电气公司
IPC: C08K5/54 , C08L101/00
Abstract: 本发明公开了提高基于芳族化合物的聚合物(例如聚碳酸酯)的阻燃能力的新方法和组合物。其它重要的聚合物性能例如透明性仍然得以保持。本发明的一个方面的内容是包含含芳基硅氧烷与二有机聚硅氧烷化合物的共聚物的阻燃添加剂。在一些优选的实施方案中,含芳基聚硅氧烷化合物是基于三苯基或二苯基的。本发明还涉及新的聚合物组合物,它包含基于芳族化合物的聚合物和上述阻燃添加剂。该聚合物组合物可以模塑成具有非常有用的综合性能的各种制品。
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公开(公告)号：CN101848862A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880022128.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 通用电气公司
IPC: C01B33/021 , H01L31/02
CPC classification number: C01B33/025 , C01B33/023 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种形成高纯度元素硅的方法。该方法包括步骤：加热硅胶组合物或者衍生自硅胶组合物的中间组合物，其中该硅胶组合物或者中间组合物包括至少大约5重量％的碳，并且该加热温度高于大约1550℃。该加热步骤导致了一种包括元素硅的产物的产生。本发明的另一方面涉及一种制造光电池的方法。该方法包括步骤：由如本发明所述而制备的元素硅来形成半导体基底。然后采用另外的步骤来制作光电装置。
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公开(公告)号：CN1062277C
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN95116933.5
申请日：1995-08-31
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08K9/04 , C08G77/20 , C08G77/32 , C08G77/44 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/00 , C08L2666/54 , C08L2666/34
Abstract: 本发明涉及使用填料处理，制备不含亚硝胺的硅氧烷制品的方法。
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