公开(公告)号：CN1250452C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01811516.0

申请日：2001-02-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·N·刘易斯 ,  W·J·瓦尔德三世 ,  J·M·巴林

IPC: C01B33/06 ,  B01J23/72 ,  C07F7/16 ,  C22C29/18

CPC classification number: C22C29/18 ,  C01B33/06 ,  C07F7/16

Abstract: 提供制备烷基卤硅烷的方法，该方法包括将硅和某种形式的铜在高于约500℃的温度下热处理，产生接触物质，在所述接触物质存在下，使烷基卤和硅反应，生成烷基卤硅烷。

公开(公告)号：CN1437562A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN01811516.0

申请日：2001-02-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·N·刘易斯 ,  W·J·瓦尔德三世 ,  J·M·巴林

IPC: C01B33/06 ,  B01J23/72 ,  C07F7/16 ,  C22C29/18

CPC classification number: C22C29/18 ,  C01B33/06 ,  C07F7/16

Abstract: 提供制备烷基卤硅烷的方法，该方法包括将硅和某种形式的铜在高于约500℃的温度下热处理，产生接触物质，在所述接触物质存在下，使烷基卤和硅反应，生成烷基卤硅烷。