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公开(公告)号：CN118821682A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410794597.5
申请日：2024-06-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308 , G06F111/08 , G06F117/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种基于概率计算和查找表分析的门级单粒子软错误分析方法，包括以下步骤：接收文件；基于分析待测设计工艺库文件与待测设计网表文件，提取待测设计中寄存器及其前级逻辑锥，分析SET作用到标准单元中的逻辑门后的输出响应并建立查找表；结合多层次屏蔽以及采用概率计算方法，评估待测设计中不同寄存器前级逻辑锥对SET故障的屏蔽效果及逻辑锥上SET导致寄存器生成位翻转的概率；通过门级注错仿真技术，获取寄存器因SET或SEU导致的错误翻转对整个系统软错误的贡献，形成模块级的统计数据，评估SET和SEU对系统软错误的影响。本发明综合分析SEU和SET的影响，实现单粒子软错误分析方法性能的极大提升。
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公开(公告)号：CN119689197A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411797007.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明具体涉及一种用于NMOS晶体管的性能分析方法。所述方法包括：根据NMOS晶体管的性能特征确定对应的转移特性曲线；基于NMOS晶体管的转移特性曲线确定对应的初始阈值电压；为所述NMOS晶体管在目标方向施加不同强度的静磁场，以获取对应的阈值电压变化数据；基于所述初始阈值电压、阈值电压变化数据，确定所述NMOS晶体管对应的影响因子，并构建NMOS晶体管的影响因子与阈值电压之间的第一关联关系；其中，所述影响因子用于描述静磁场对NMOS晶体管的阈值电压的影响程度。本方案能够准确描述静磁场环境下晶体管的阈值电压磁场效应；为数字电路设计提供支持。
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公开(公告)号：CN109815605B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910091118.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种用于单粒子效应仿真的电路系统组建方法，该方法包括以下步骤：步骤一：确定电路系统所包含的模块；步骤二：建立所有功能模块的不同层次功能模型；步骤三：编写不同层次功能模型之间的接口；步骤四：确定需要进行单粒子故障注入的模块，并配置得到该条件下的电路系统混合模型，从而可以对待注入模块进行单粒子故障注入，并对整个系统进行仿真分析。本发明实现了电路系统仿真模型在执行程序的同时又能对其中的特定模块进行单粒子故障注入，对研究系统的单粒子效应仿真有重要意义。
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公开(公告)号：CN106209068B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610551799.2
申请日：2016-07-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/094 , H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种基于NoC互连电容型电荷重分布的发送器，包括：差分电荷重分配容性发射器电路，当输入信号Vin为低电平时，P1导通，A1点电压上升至VDD，N1导通，B1点电压降至0，同时P3截止，所以点A1和B1之间没有电流；当输入信号Vin跳为高电平时，P1和N1都截止，同时P3导通，能使点A1和B1之间电荷重新分配实现电荷再分配，降低链路电压摆幅，进而降低链路功耗；利用容性驱动模式实现链路上数据的高速传输。同时，与负载电容串联的电容实现带宽的进一步扩展。本发明实现片上网络链路上的高速低功耗传输，可用于NoC互连下的集成电路设计。
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公开(公告)号：CN108733504A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810420934.9
申请日：2018-05-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明提出了一种四维奇偶校验码与汉明码相结合的存储器校验编码及检错纠错方法。该方法将四维奇偶校验码与汉明码相结合，采用双重编码的方式，首先采用四维奇偶校验码对要进行存储的数据进行编码，实现对数据位的3位纠错，然后利用可以对自身产生的校验位自我纠错的汉明码对第一重编码生成的校验码进行2次编码，解决四维奇偶校验码的校验位自我纠错存在很多限制与不足的问题，提高存储器检错纠错的可靠性；同时，本发明还对四维奇偶校验码的编码方式进行了优化设计，其生成的校验位减少到了32位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106849954A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611129892.0
申请日：2016-12-09
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02D10/12 , H03M5/145 , G06F15/7825
Abstract: 本发明提供一种抑制串扰的低功耗编解码方法及其编解码器，能够有效减小数据传输的动态功耗，并提高数据传输的质量。本发明从减少数据间的翻转次数的角度考虑，改变数据的编码方式，相比于原始数据，翻转次数可降低37.56％，有效地降低了数据传输中的动态功耗；通过在最劣串扰情况下，插入屏蔽码的方式，在尽可能降低额外功耗的前提下，有效地减少了数据间串扰的发生。对于随机数据源，本发明在避免最劣串扰的同时，降低了37.51％的传输功耗。
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公开(公告)号：CN106209068A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610551799.2
申请日：2016-07-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/094 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/094 , H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种基于NoC互连电容型电荷重分布的发送器，包括：差分电荷重分配容性发射器电路，当输入信号Vin为低电平时，P1导通，A1点电压上升至VDD，N1导通，B1点电压降至0，同时P3截止，所以点A1和B1之间没有电流；当输入信号Vin跳为高电平时，P1和N1都截止，同时P3导通，能使点A1和B1之间电荷重新分配实现电荷再分配，降低链路电压摆幅，进而降低链路功耗；利用容性驱动模式实现链路上数据的高速传输。同时，与负载电容串联的电容实现带宽的进一步扩展。本发明实现片上网络链路上的高速低功耗传输，可用于NoC互连下的集成电路设计。
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公开(公告)号：CN114548290B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210172647.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F18/241 , G06N3/0464 , G06N3/049 , G06N3/0495
Abstract: 本发明的目的是解决目前对于事件流分类采用的脉冲神经网络难以兼顾处理时间维度和大量冗余数据的技术问题，而提出一种面向事件流分类的突触卷积脉冲神经网络，可以在保证处理精度的前提下有效缩短脉冲神经网络的延时。该神经网络局域具有可学习的衰减系数的多阈值LIF模型构建，脉冲神经网络包括依次设置的输入层、多个中间隐藏层和输出层；所述输入层基于DVS数据压缩，采用带权重的脉冲叠加方式将指定压缩率的脉冲序列压缩处理后传递给下一层网络；所述中间隐藏层包括A层基于突触模型的突触卷积层和B层基于多阈值脉冲神经元的全连接层；所述输出层基于投票机制，用于给上一层神经元随机分配标签。
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公开(公告)号：CN115660072A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211419727.4
申请日：2022-11-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明为解决随着现有脉冲神经网络的复杂化，脉冲发射频率增加，产生了更多的计算与存储消耗，使得神经网络的精度与工作效率均有所降低的问题，而提供一种基于自回落神经元模型的脉冲神经网络的训练方法。该方法通过设定当神经元膜电压超过初始阈值并保持增长态势时触发脉冲激发的机制和设定最大激发上限，减少神经元脉冲激发数，以减少脉冲引起的精度损失与存储资源与计算消耗，经过神经元处理信号后，再对脉冲神经网络进行迭代训练，设定脉冲神经网络精度阈值，当脉冲神经网络的损失小于等于精度阈值Q时，得到适用复杂的数据处理任务且满足精度要求的脉冲神经网络。
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公开(公告)号：CN109918723B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910090817.5
申请日：2019-01-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提出了一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法，解决了传统电路级单粒子效应仿真中故障注入模型无法模拟粒子入射的随机性导致仿真精度差的问题。该方法通过最劣情况下单粒子瞬态效应的实际脉冲电流特性曲线修正器件单粒子瞬态电流源模型，并基于中心极限定理实现具有高斯分布单粒子脉冲故障注入模型，还根据被测电路的版图信息以及器件单粒子效应敏感区域信息计算有效入射概率，进而得出符合实际的有效入射粒子数量，从而模拟粒子入射的随机性，提高了仿真精度。
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