公开(公告)号：CN114709203A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202111528391.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 西安交通大学 ,  美垦半导体技术有限公司

Inventor： 王来利 ,  姚乙龙 ,  杨奉涛 ,  孔航 ,  王振宇 ,  张轶凡 ,  汪岩 ,  齐志远 ,  张翅 ,  苏宇泉

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495

Abstract: 一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块，包括驱动板、功率板、模块外壳和散热器；驱动板和功率板均设置在模块外壳内，且驱动板设置在功率板上，功率板和驱动板通过键合线连接；散热器设置在模块外壳底部；功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片，两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路；驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片；本发明基于氮化镓芯片设计单相全桥智能功率模块，氮化镓器件相比传统的硅器件拥有更高的开关速度，因而在开关过程中相比传统硅器件对寄生参数更加敏感。本模块设计出一种基于氮化镓功率芯片的全桥布局，并实现驱动芯片在模块内的集成。

公开(公告)号：CN116013909A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310028709.1

申请日：2023-01-09

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  王振宇 ,  齐志远 ,  姚乙龙 ,  温浚铎 ,  张轶凡 ,  孔航 ,  汪岩 ,  甘永梅

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/66 ,  H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种高集成度多芯片并联氮化镓半桥功率模块，包括GaN器件、功率回路解耦电容Cin、PCB电路板、DBC板和驱动芯片，GaN器件设置于PCB电路板与DBC板之间；驱动芯片均设置于PCB电路板上；GaN器件包括第一GaN器件S1、第二GaN器件S2、第三GaN器件S3和第四GaN器件S4，第一GaN器件S1和第二GaN器件S2并联形成上半桥；第三GaN器件S3和第四GaN器件S4并联形成下半桥。本发明利用并联垂直结构降低功率回路和驱动回路的寄生电感，同时通过功率回路和驱动电路的对称设计保证布局对称，实现器件的并联均流效果。

公开(公告)号：CN115296507A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210602728.6

申请日：2022-05-30

Applicant: 西安交通大学 ,  美垦半导体技术有限公司

Inventor： 王来利 ,  姚乙龙 ,  孔航 ,  杨奉涛 ,  汪岩 ,  张轶凡 ,  齐志远 ,  王振宇 ,  张翅 ,  苏宇泉

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H05K1/18 ,  H05K3/32

Abstract: 基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块及制造方法，包括陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容、印刷电路板和壳体；若干功率铜面设置在陶瓷基板上，相邻的功率铜面之间留有间隙，解耦电容和功率芯片设置在功率铜面上；印刷电路板覆盖在陶瓷基板上，印刷电路板上设置有若干驱动芯片；陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容和印刷电路板均设置在壳体内。本发明设计的加工流程易于实现功率模块加工制备的自动化，并有效减少功率模块制备步骤，提高功率模块制备的良品率，且加工使用的原料成本低廉，有效控制功率模块的生产成本。同时制备工艺可保证功率模块内部电气绝缘性能及电气键合连接的可靠性。