公开(公告)号：CN119230521A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311839425.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 沈明逸 ,  C-H·崔 ,  J·梅赫塔 ,  T·拉赫曼 ,  P·阿明 ,  J·E·米勒 ,  V·希普韦尔 ,  C·S·福格尔斯贝格尔 ,  S·F·帕特尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H05K1/11

Abstract: 讨论了形成低电阻过孔的技术。在示例中，给定行的半导体器件各自包括在第一方向上在对应的源极区域或漏极区域之间延伸的半导体区域，以及在第二方向上在半导体区域上方延伸的栅极结构。任何半导体器件可以由电介质结构沿着第二方向与相邻的半导体器件分离，过孔穿过该电介质结构。过孔可以包括导电部分，该导电部分沿着栅极结构的至少整个厚度在第三方向上延伸穿过电介质壁。导电部分包括直接在电介质壁上的导电衬层和在导电衬层上的导电填充物。导电衬层包括纯元素金属，诸如钨、钼、钌或镍铝合金，其中在导电衬层与电介质壁之间不存在金属氮化物或阻挡层。

公开(公告)号：CN115527970A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210579410.0

申请日：2022-05-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·南迪 ,  C-H·崔 ,  G·杜威 ,  H·肯内尔 ,  O·萨阿达特 ,  J·K·杰哈 ,  A·奥尼 ,  N·哈拉蒂普 ,  A·默西 ,  T·加尼

IPC: H01L23/482 ,  H01L27/092 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了为采用硅和锗源极和漏极材料的晶体管提供改进的接触电阻和接触界面稳定性的源极和漏极接触部、相关的晶体管结构、集成电路、系统和制作方法。这样的源极和漏极接触部包括位于硅和锗源极和漏极上的由共沉积的钛和硅构成的接触层。所公开的源极和漏极接触部提高了包括开关速度和可靠性在内的晶体管性能。

公开(公告)号：CN115863339A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211016764.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·南迪 ,  M·J·科布林斯基 ,  G·杜威 ,  C-H·崔 ,  H·W·肯内尔 ,  B·J·克里斯特 ,  A·阿利亚鲁昆朱 ,  C·邦伯格 ,  R·沙阿 ,  R·米恩德鲁 ,  S·M·塞亚 ,  C·穆纳辛哈 ,  A·S·默西 ,  T·加尼

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/45 ,  H01L21/8234

Abstract: 描述了具有受限的外延源极或漏极结构的全环栅集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括在子鳍状物之上的多个纳米线。栅极堆叠体在多个纳米线和子鳍状物上方。外延源极或漏极结构在多个纳米线的相对端上。外延源极或漏极结构包括锗和硼、以及保护层，保护层包括至少部分地覆盖外延源极或漏极结构的硅和锗。包括硅化钛的导电触点在外延源极或漏极结构上。