-
公开(公告)号：CN101680092B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880019024.4
申请日：2008-06-03
申请人： 艾克斯特朗股份公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B25/16
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4584 , C23C16/52
摘要： 本发明涉及一种具有多个旋转台(2)的CVD反应器，所述旋转台支承于动态气体垫(3)上的旋转驱动衬托器(1)，其中每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流，取决于由温度测量装置(4)测量的表面温度，可由单独致动器(5)改变。本发明还包括承载件(6)，承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转。共用气体供给管线(7)终端于承载件(6)，其为本发明的关键并且为布置在承载件(6)上的致动器(5)提供形成气体流的气体。
-
公开(公告)号：CN101681871B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880017035.9
申请日：2008-05-21
申请人： 艾克斯特朗股份公司
IPC分类号： H01L21/687 , C30B25/12 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4583 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , H01L21/68771
摘要： 本发明涉及用于涂覆多个基板(3)的装置，基板(3)规则地设置在配属于一处理室的基座(1)的承载表面(2)上，其中承载表面(2)形成用于每个基板(3)的边缘安装的邻接侧面(5)。为了减少自由基座表面到最小，提出了侧壁的邻接侧面(5)由基底(4)形成，基底(4)从承载表面(2)突出，并且以一距离彼此间隔。所述基底设置在蜂巢结构的拐角点(10)上，并且其轮廓基本上对应于等边三角形，但具有向内弯曲的边(5)。
-
公开(公告)号：CN101688307B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880020394.X
申请日：2008-06-13
申请人： 艾克斯特朗股份公司
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , H01L21/687 , C30B25/10 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C30B25/12 , H01L21/68735
摘要： 本发明涉及一种用于涂覆基片的装置，该装置具有布置在反应器壳体中的处理室(1)以及布置在所述处理室中的两部分的、大致为杯形的感受器(2，3)，所述感受器通过其杯形底部形成感受器上半部(2)，杯形底部具有平板(2’)，并且感受器通过其杯形侧壁形成感受器下半部(3)，感受器上半部(2)的平板(2’)朝上面向处理室(1)并且形成至少一个基片的接触面，感受器上半部(2)在其边缘处接触感受器下半部(3)的端部边缘(3”)上，感受器的下半部(3)由感受器承载体(6)支撑，并且用于加热感受器上半部(2)的加热区域(A，B，C)布置在平板(2’)之下。本发明的有利改进之处是建议感受器上半部(2)能够从与感受器下半部(3)分开的处理室(1)移除，感受器上半部(2)的边缘和感受器下半部(3)的端部边缘(3”)之间的接合部被形成为隔热形式。
-
公开(公告)号：CN100582298C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200480011538.7
申请日：2004-03-22
申请人： 艾克斯特朗股份公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/30 , C30B25/14 , C30B29/40
CPC分类号： C23C16/45514 , C23C16/303 , C23C16/452 , C23C16/45574 , Y10S438/905
摘要： 本发明涉及一种方法和设备，其用于在设置在反应器(1)的处理室(2)中而且由衬底座(4)承载的至少一个衬底(5)上沉积至少一层、具体而言半导体层。所述层包含至少两种材料组分，所述两种材料组分处于固定的化学计量比且分别以第一反应气体和第二反应气体的形式被引入反应器(1)中，且一部分分解产物形成所述层，藉此具有低热活化能的所述第一反应气体的供给决定了所述层的生长速度，且具有高热活化能的所述第二反应气体被过量供给，更具体而言，通过独立的能量供给来被预处理。所述第一反应气体通过多个设置分布在气体入口构件(3)的表面上的开口(6)在衬底座(4)的方向流动，所述表面与所述衬底座(4)相对设置。根据本发明，第二处理气体在其进入处理室(2)之前被预处理且在衬底座(4)的边缘(19)在衬底座(4)的紧上方进入处理室(2)，且平行于衬底座表面流动。
-
公开(公告)号：CN101443487B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780017540.9
申请日：2007-05-07
申请人： 艾克斯特朗股份公司
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4488 , C30B25/14
摘要： 本发明涉及VPE沉积设备的源装置，包括：含有液态或固态起始材料(1)并具有顶部开口的容器(2)；用于反应气体(4)的供应管线(3)，所述反应气体(4)与起始材料(1)反应以产生含有该起始材料的工艺气体(5)。本发明的目的是暂时稳定源反应。为此，盖子(6)直接放置在起始材料(1)上并且限定盖子和起始材料(1)的表面(7)之间的体积(8)，反应气体(4)流过所述体积并且供应管线(3)通向该体积。
-
公开(公告)号：CN101688307A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880020394.X
申请日：2008-06-13
申请人： 艾克斯特朗股份公司
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , H01L21/687 , C30B25/10 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C30B25/12 , H01L21/68735
摘要： 本发明涉及一种用于涂覆基片的装置，该装置具有布置在反应器壳体中的处理室(1)以及布置在所述处理室中的两部分的、大致为杯形的感受器(2，3)，所述感受器通过其杯形底部形成感受器上半部(2)，杯形底部具有平板(2’)，并且感受器通过其杯形侧壁形成感受器下半部(3)，感受器上半部(2)的平板(2’)朝上面向处理室(1)并且形成至少一个基片的接触面，感受器上半部(2)在其边缘处接触感受器下半部(3)的端部边缘(3”)上，感受器的下半部(3)由感受器承载体(6)支撑，并且用于加热感受器上半部(2)的加热区域(A，B，C)布置在平板(2’)之下。本发明的有利改进之处是建议感受器上半部(2)能够从与感受器下半部(3)分开的处理室(1)移除，感受器上半部(2)的边缘和感受器下半部(3)的端部边缘(3”)之间的接合部被形成为隔热形式。
-
公开(公告)号：CN101631901A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880007828.2
申请日：2008-02-21
申请人： 艾克斯特朗股份公司
CPC分类号： C30B25/10 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/463 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/48
摘要： 本发明涉及用于在一个或者多个衬底特别是结晶衬底(6)上沉积一个或者多个层特别是结晶层的设备，所述衬底(6)位于反应器(1)的工艺室(2)中的基座(3)上。可被工艺室加热装置(11)主动加热的工艺室壁(4)位于可被基座加热装置(11)主动加热的基座(3)对面。所述设备设置有用于将工艺气体引入到所述工艺室中的气体入口元件(7)并且所述工艺室加热装置(11)具有冷却剂通道(13)并且在所述工艺室壁(4)的主动加热期间位于离所述工艺室壁(4)的外部(18)一段距离处。为此，可选择性地对所述工艺室壁(4)进行主动加热和主动冷却，所述冷却剂通道(13)充当所述工艺室壁的冷却装置(12)。可通过特别设计为提升装置的位移装置将所述工艺室壁的冷却装置(12)和所述壁(4)之间的距离从一段距离的加热位置改变为冷却位置。
-
公开(公告)号：CN101072900A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200580042263.8
申请日：2005-12-12
申请人： 艾克斯特朗股份公司
摘要： 本发明涉及在至少一个基片，特别是结晶基片上沉积结晶涂层的沉积设备。所述设备包括处理腔(5)，该处理腔包括许多壁元件(1、2、3、4)，所述壁元件(1、2、3、4)是导电的并且端对端放置，这样形成接触(2’、2”、3’、3”)；反应器壳体(6)，该壳体包围处理腔的壁元件并且由非导电材料制成；和RF加热线圈，该线圈围绕处理腔的壁元件(1、2、3、4)。本发明的特征在于，实体单件屏蔽加热管(8)植入到反应器壳体(6)和处理腔的壁(1、2、3、4)之间。所述管的材料是导电的，使得其被RF线圈产生的RF场感应在其内的涡流加热，并且使得该管显著地吸收RF场并且加热处理腔的壁(1、2、3、4)。
-
公开(公告)号：CN1788107B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200480012947.9
申请日：2004-03-18
申请人： 艾克斯特朗股份公司
发明人： 约翰尼斯·卡普勒
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/448 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4586
摘要： 本发明涉及一种方法，所述方法在处理室(1)中通过注入到所述处理室(1)中并且经受特别热解反应的反应气体将特别的晶体层沉积在一个或多个特别的相同晶体基片上。该装置包括从一侧加热并且在其上搁置了至少一个补偿板(4)从而形成水平间隙(3)的载板(2)。为了更好地影响表面温度，所述水平间隙(3)的间隙高度是变化的或局部不同的，以改变所述补偿板(4)的局部表面温度。
-
公开(公告)号：CN1788107A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012947.9
申请日：2004-03-18
申请人： 艾克斯特朗股份公司
发明人： 约翰尼斯·卡普勒
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/448 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4586
摘要： 本发明涉及一种方法，所述方法在处理室(1)中通过注入到所述处理室(1)中并且经受特别热解反应的反应气体将特别的晶体层沉积在一个或多个特别的相同晶体基片上。该装置包括从一侧加热并且在其上搁置了至少一个补偿板(4)从而形成水平间隙(3)的载板(2)。为了更好地影响表面温度，所述水平间隙(3)的间隙高度是变化的或局部不同的，以改变所述补偿板(4)的局部表面温度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.027 秒)
