公开(公告)号：CN100385035C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN03813163.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 簗嶋克典 ,  成井启修 ,  目目泽聪彦 ,  佐佐木浩司

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 一种在没有加热成膜表面下在衬底表面形成性质均匀的有机薄膜的方法。蒸发单一的有机材料的成膜成分而产生气体(成膜成分气体)(g2)，并向放置衬底(W)的反应室(11)输送并供入，并在反应室(11)内的衬底(W)上淀积保持成膜成分的有机材料以形成有机薄膜。当有机材料淀积时，衬底(W)保持冷却。通过载气如惰性气体(g1)向反应室(11)输送并供入成膜成分气体(g2)。通过重复有机材料的这种淀积，可形成多层不同成膜材料的有机薄膜。

公开(公告)号：CN1556872A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801066.6

申请日：2003-06-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐佐木浩司 ,  成井启修 ,  簗嶋克典 ,  目目泽聪彦

IPC: C23C14/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/228 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。

公开(公告)号：CN1308483C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03801066.6

申请日：2003-06-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐佐木浩司 ,  成井启修 ,  簗嶋克典 ,  目目泽聪彦

IPC: C23C14/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/228 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。

公开(公告)号：CN1659303A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813163.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 簗嶋克典 ,  成井启修 ,  目目泽聪彦 ,  佐佐木浩司

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 一种在没有加热成膜表面下在衬底表面形成性质均匀的有机薄膜的方法。蒸发单一的有机材料的成膜成分而产生气体(成膜成分气体)(g2)，并向放置衬底(W)的反应室(11)输送并供入，并在反应室(11)内的衬底(W)上淀积保持成膜成分的有机材料以形成有机薄膜。当有机材料淀积时，衬底(W)保持冷却。通过载气如惰性气体(g1)向反应室(11)输送并供入成膜成分气体(g2)。通过重复有机材料的这种淀积，可形成多层不同成膜材料的有机薄膜。