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公开(公告)号：CN102377402A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110213173.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/04
CPC classification number: H03H3/10 , H03H9/25 , H03H2003/0442 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种能够一方面防止表面粗糙度的增大和构造破坏一方面使谐振频率上升的压电振动设备及其制造方法、谐振频率的调整方法。本发明是具有声表面波元件的压电振动设备的制造方法，其特征在于，包括在上述声表面波元件的表面上形成用于提高声表面波的速度的功能膜的工序。此外，上述功能膜的杨氏模量比上述激励电极的杨氏模量以及上述压电体的杨氏模量大，并且上述功能膜的密度比上述激励电极的密度及上述压电体的密度低。由此，能够在抑制质量附加效果对频率降低的影响的同时，发现基于弹性模量上升的频率上升，能够使声表面波元件的谐振频率上升。
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公开(公告)号：CN109211441A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810688391.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种力检测装置及机器人，能够实现力检测装置的外力检测的高精度化。所述力检测装置具备：第一部件；第二部件，与第一部件对置地配置；传感器器件，配置于第一部件与第二部件之间，并具备力检测元件，力检测元件具有对应于外力输出信号的至少一个压电元件；以及多个施压部件，在从第一部件与第二部件重叠的方向观察的俯视观察下，设置于传感器器件的外周部，对传感器器件施压，第一部件具有：第一部分，与传感器器件接触；以及第二部分，在俯视下位于第一部分的外周部，并包括调整第一部分对传感器器件的接触压力的调整部，调整部在施压部件的施压方向上的长度比第一部分在施压方向上的长度短。
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公开(公告)号：CN101038894A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088137.7
申请日：2007-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 加藤达
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/823878 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L27/1203
Abstract: 一种利用SBSI法制造半导体装置的方法，其中，支承体区域(210)具有：第一支承体区域(211)；与第一支承体区域垂直的第二支承体区域(212)；从第一支承体区域(211)与第二支承体区域(212)的交叉区域(220)沿第一支承体区域(211)的长度方向突出的第一突出区域(213)；以及从交叉区域(220)沿所述第二支承体区域(212)的长度方向突出的第二突出区域(214)，支承体保持区域(230)设置于：在平面观察下与第一突出区域(213)重叠且离开交叉区域(220)的位置、以及在平面观察下与第二突出区域(214)重叠且离开交叉区域(220)的位置。若采用这种构成，则可在交叉区域(240)的角部附近产生间隙(240)，在该间隙(240)形成使SiGe层的侧面露出的开口面。
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公开(公告)号：CN101030584A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710005718.X
申请日：2007-02-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 加藤达
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76202 , H01L27/1203
Abstract: 一种根据SBSI法制造的半导体装置，其中，使元件分离层(13)形成为“包围元件形成区域(10)，在包围的范围内隔开SOI形成区域(1a)和SOI形成区域(1c)，且隔开SOI形成区域(1b)和SOI形成区域(1d)”的平面形状。若采用这样的构成，则作为CMP处理的阻挡层而发挥功能的外延多晶硅膜(24)的平面形状也成为与元件分离层(13)大致相同的形状。因此，在对SiO2膜(43)进行CMP处理时，能靠近SOI形成区域(1a～1d)地紧密配置外延多晶硅膜(24)。由此，可提供能减少SOI形成区域的凹陷量的半导体装置及其制造方法。
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