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公开(公告)号：CN104884563A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069046.2
申请日：2013-06-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及用于抛光铜的CMP浆料组合物，包含：抛光颗粒；络合剂；腐蚀抑制剂；和去离子水。该络合剂包含选自草酸、苹果酸、丙二酸和甲酸中的一种或多种有机酸以及甘氨酸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101643648A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164078.6
申请日：2009-08-10
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。
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公开(公告)号：CN1539162A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02815444.4
申请日：2002-08-06
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种在制造半导体设备中用于金属布线CMP(化学机械抛光)工艺的组合物，包括过氧化氢、无机酸、丙二胺四乙酸(PDTA)－金属络合物、羧酸、金属氧化物粉末和去离子水，其中PDTA－金属络合物通过防止研磨后的钨氧化物再粘附到抛光后的表面上，在全面改进抛光性能和抛光性能的可重复性方面以及在改进浆液组合物的分散稳定性方面起主要的作用。
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公开(公告)号：CN101643648B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910164078.6
申请日：2009-08-10
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。
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公开(公告)号：CN102666771A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059220.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 在此披露了一种CMP淤浆组合物。该CMP淤浆组合物包括氧化铈颗粒、用于将这些氧化铈颗粒吸附到抛光衬垫上的吸附剂、用于调节吸附剂吸附性能的吸附调节剂、以及pH调节剂。该CMP淤浆组合物可以改善图案化的氧化物层的抛光效率以及金刚石圆盘调节器的寿命。
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公开(公告)号：CN1243370C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN02815444.4
申请日：2002-08-06
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种在制造半导体设备中用于金属布线CMP(化学机械抛光)工艺的组合物，包括过氧化氢、无机酸、丙二胺四乙酸(PDTA)-金属络合物、羧酸、金属氧化物粉末和去离子水，其中PDTA-金属络合物通过防止研磨后的钨氧化物再粘附到抛光后的表面上，在全面改进抛光性能和抛光性能的可重复性方面以及在改进浆液组合物的分散稳定性方面起主要的作用。
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