公开(公告)号：CN100490082C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN03825534.0

申请日：2003-07-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢泫秀 ,  朴泰远 ,  李吉成 ,  李仁庆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt%平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt%的氨、0.2～1wt%的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt%的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt%的季铵碱和余量为去离子水。

公开(公告)号：CN101191036B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200710145660.9

申请日：2007-09-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴泰远 ,  李仁庆 ,  崔炳镐

IPC: C09G1/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。

公开(公告)号：CN101191036A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710145660.9

申请日：2007-09-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴泰远 ,  李仁庆 ,  崔炳镐

IPC: C09G1/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。

公开(公告)号：CN1714432A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825534.0

申请日：2003-07-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢泫秀 ,  朴泰远 ,  李吉成 ,  李仁庆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。