公开(公告)号：CN115551962A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180032669.7

申请日：2021-05-17

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 内田留智 ,  荒井亨 ,  堂本高士 ,  谷川贵子 ,  渡边淳 ,  须藤惠 ,  吉田准

IPC: C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J123/22 ,  H01L21/304 ,  B32B7/06

Abstract: 本发明涉及含有下述(A)～(C)的临时固定组合物。(A)含有下述(A‑1)和(A‑2)的(甲基)丙烯酸酯(A‑1)侧链为碳原子数18以上的烷基、且均聚物的Tg为‑100℃～60℃的单官能(甲基)丙烯酸酯(A‑2)多官能(甲基)丙烯酸酯(B)聚异丁烯均聚物及/或聚异丁烯共聚物(C)光自由基聚合引发剂。

公开(公告)号：CN113056533B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201980074249.8

申请日：2019-11-14

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 内田留智 ,  堂本高士 ,  谷川贵子 ,  野村谦二 ,  后藤庆次

IPC: C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J123/22 ,  H01L21/304 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明涉及一种含有下述(A)～(C)的暂时固定组合物。另外，本发明涉及一种包含该暂时固定组合物的电子装置制造用暂时固定粘接剂。(A)含有下述(A‑1)与(A‑2)的(甲基)丙烯酸酯(A‑1)均聚物的Tg为‑100℃～60℃的单官能(甲基)丙烯酸酯(A‑2)多官能(甲基)丙烯酸酯(B)聚异丁烯均聚物(C)光自由基聚合引发剂。

公开(公告)号：CN118895088A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410928826.8

申请日：2021-05-17

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 内田留智 ,  荒井亨 ,  堂本高士 ,  谷川贵子 ,  渡边淳 ,  须藤惠 ,  吉田准

IPC: C09J4/02 ,  H01L21/683 ,  C09J4/06 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明涉及临时固定粘接剂。其满足全部下述条件：厚度50μm的所述临时固定组合物的固化体的透光率中，用于固化的光源的波长中的395nm以上的波长区域的透光率为70％以上；厚度50μm的所述临时固定组合物的固化体的透光率中，用于固化的光源的波长中的385nm以上且小于395nm的波长区域的透光率为20％以上；厚度50μm的所述临时固定组合物的固化体的透光率中，用于UV激光剥离的UV激光的波长(355nm)处的透光率为1％以下。

公开(公告)号：CN118888506A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410928759.X

申请日：2021-05-17

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 内田留智 ,  荒井亨 ,  堂本高士 ,  谷川贵子 ,  渡边淳 ,  须藤惠 ,  吉田准

IPC: H01L21/683 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  H01L21/304 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12

Abstract: 本发明涉及半导体晶片的制造方法。其包括：将临时固定粘接剂涂布于半导体晶片基材及/或支承部件，将所述半导体晶片基材与所述支承部件粘接的步骤；通过照射波长350nm～450nm的光而使所述临时固定粘接剂固化，得到粘接体的步骤；和对所述粘接体照射波长355nm以上且小于385nm的激光，将所述半导体晶片基材剥离的步骤。

公开(公告)号：CN113056533A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980074249.8

申请日：2019-11-14

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 内田留智 ,  堂本高士 ,  谷川贵子 ,  野村谦二 ,  后藤庆次

IPC: C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J123/22 ,  H01L21/304 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明涉及一种含有下述(A)～(C)的暂时固定组合物。另外，本发明涉及一种包含该暂时固定组合物的电子装置制造用暂时固定粘接剂。(A)含有下述(A‑1)与(A‑2)的(甲基)丙烯酸酯(A‑1)均聚物的Tg为‑100℃～60℃的单官能(甲基)丙烯酸酯(A‑2)多官能(甲基)丙烯酸酯(B)聚异丁烯均聚物(C)光自由基聚合引发剂。