公开(公告)号：CN101897006A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120202.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  法兰克·辛克莱 ,  约翰(本雄)·具 ,  拉杰许·都蕾 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/26 ,  H01L31/042 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02689 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可以包括产生含有多个粒子的连续粒子束；以及将连续粒子束导入基板的非晶相区域，以将此区域由非晶相转变为结晶相，其中连续粒子束的电流密度为5×1014粒子/平方厘米·秒(particles/cm2sec)或更大。

公开(公告)号：CN101911255A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880124531.4

申请日：2008-11-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  法兰克·辛克莱 ,  约翰(本雄)·具 ,  拉杰许·都蕾 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/26 ,  H01L29/786 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02689 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将多个第一粒子导入到基板的第一区域，以在第一区域中形成具有粒界的至少一结晶，而不在第二区域形成其他结晶，且第二区域邻近于第一区域；以及在停止导入第一粒子之后，延伸形成于第一区域中的至少一结晶的粒界到第二区域。