公开(公告)号：CN101789421B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010135436.3

申请日：2005-05-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  长峰彻 ,  森博志 ,  市之濑吏

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H03G3/3036 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种小型化的半导体器件，其具有封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底的主表面上，并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO；以及多个球电极，设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。