公开(公告)号：CN103456690A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310205688.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木和贵 ,  是成贵弘

IPC: H01L21/8232 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本发明的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。

公开(公告)号：CN108461447A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711443872.5

申请日：2013-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木和贵 ,  是成贵弘

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01M10/425 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括具有背表面和在平面图中为矩形的前表面的半导体衬底；第一MOSFET，具有第一栅电极、第一源极区和第一漏极区；第二MOSFET，具有第二栅电极、第二源极区和第二漏极区；前表面上方的耦合到第一源极区的第一源电极；前表面上方的耦合到第二源极区的第二源电极；前表面上方的耦合到第一栅电极的第一栅极线；前表面上方的耦合到第二栅电极的第二栅极线；背表面上方的耦合到第一漏极区和第二漏极区的公共漏电极，第一源电极在前表面的第一边、第二边、第三边和第四边处，平面图中，第二源电极被第一源电极围绕，第一源电极与第一MOSFET重叠，第二源电极与第二MOSFET重叠。

公开(公告)号：CN103456690B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310205688.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木和贵 ,  是成贵弘

IPC: H01L21/8232 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本发明的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。

公开(公告)号：CN203481223U

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201320300992.0

申请日：2013-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木和贵 ,  是成贵弘

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01M10/425 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型涉及半导体器件。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本实用新型的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。