公开(公告)号：CN103915483A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310675949.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  望月省吾 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。

公开(公告)号：CN103915483B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201310675949.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  望月省吾 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。