公开(公告)号：CN102148228A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110021014.8

申请日：2011-01-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本阳一 ,  服卷直美 ,  坂本美里 ,  加藤芳健

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/91 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。该半导体器件具有电容器元件，其中，电容电介质膜被设置在上电极膜(上电极膜114、上电极膜116)与下电极膜之间，并且对于至少与电容电介质膜接触的部分，下电极膜具有多晶钛氮化物。