公开(公告)号：CN109962511A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811565998.4

申请日：2018-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野浩平 ,  太田毅

IPC: H02J7/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，其能够在保持安全性的同时更快地关断放电控制晶体管。在放电停止处理中，控制单元导通开关元件，并且执行第一放电停止模式，在第一放电停止模式中，经由负载撤消放电控制晶体管的栅极电压，并且在预定的放电停止模式切换定时处，控制单元切换至第二放电停止模式，在第二放电停止模式中，直接将放电控制晶体管的栅极电压撤消到低电压电源。

公开(公告)号：CN109962511B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201811565998.4

申请日：2018-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野浩平 ,  太田毅

IPC: H02J7/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，其能够在保持安全性的同时更快地关断放电控制晶体管。在放电停止处理中，控制单元导通开关元件，并且执行第一放电停止模式，在第一放电停止模式中，经由负载撤消放电控制晶体管的栅极电压，并且在预定的放电停止模式切换定时处，控制单元切换至第二放电停止模式，在第二放电停止模式中，直接将放电控制晶体管的栅极电压撤消到低电压电源。

公开(公告)号：CN101866914A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010155922.1

申请日：2010-04-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河野诚 ,  尾藤胜利 ,  三田村笃 ,  川野浩平

IPC: H01L25/16 ,  G03B15/05 ,  H01J61/02

CPC classification number: H01L25/165 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明减少发光器件的尺寸。用于闪光照相的发光器件包括：荧光氙管；IGBT，用于氙管的放电开关；电容器，用于对氙管进行放电；以及MOSFET，用于电容器的充电开关。通过在封装中密封以下各项来获得这一发光器件中使用的半导体器件：IGBT形成于其中的半导体芯片；MOSFET形成于其中的半导体芯片；IGBT的驱动电路和MOSFET的控制电路形成于其中的半导体芯片；以及耦合到它们的多个引线。