公开(公告)号：CN103681616B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201310384818.3

申请日：2013-08-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 北尾良平 ,  土屋泰章

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了实现高度集成采用TSV技术的半导体器件的技术。贯通电极由具有第一直径并且形成在半导体晶片的主表面上的小直径贯通电极和具有比上述第一直径大的第二直径并且形成在半导体晶片的背表面侧上的大直径贯通电极构成，并且在平面图中，小直径贯通电极布置在大直径贯通电极的内部，使得在平面图中，小直径贯通电极的中心位置和大直径贯通电极的中心位置彼此不重合。

公开(公告)号：CN103681616A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310384818.3

申请日：2013-08-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 北尾良平 ,  土屋泰章

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了实现高度集成采用TSV技术的半导体器件的技术。贯通电极由具有第一直径并且形成在半导体晶片的主表面上的小直径贯通电极和具有比上述第一直径大的第二直径并且形成在半导体晶片的背表面侧上的大直径贯通电极构成，并且在平面图中，小直径贯通电极布置在大直径贯通电极的内部，使得在平面图中，小直径贯通电极的中心位置和大直径贯通电极的中心位置彼此不重合。