公开(公告)号：CN107306511A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201580074666.4

申请日：2015-08-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 假屋崎修一 ,  白井航 ,  久保山贤一

IPC: H01L23/32 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

Abstract: 一个实施方式的半导体器件具有经由中介层而相互电连接的第1半导体部件以及第2半导体部件。上述中介层具有多个第1信号布线路径、以及路径距离比上述多个第1信号布线路径各自的路径距离短的多个第2信号布线路径。另外，上述第1半导体部件具备沿第1方向按顺序排列的第1电极、第2电极以及第3电极。另外，上述第2半导体部件包括沿上述第1方向按顺序排列的第4电极、第5电极以及第6电极。另外，上述第1电极经由上述第1信号布线路径而与上述第4电极连接，上述第2电极经由上述第1信号布线路径而与上述第5电极连接，上述第3电极经由上述第1信号布线路径而与上述第6电极连接。

公开(公告)号：CN110034085A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811583769.5

申请日：2018-12-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 假屋崎修一 ,  白井航 ,  片山晋二 ,  土屋惠太

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，实现了半导体器件的性能的改进。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一电路和在其上安装半导体芯片的布线基板。布线基板包括传输被输入到半导体芯片的输入信号的导线(输入信号导线)、传输从半导体芯片输出的输出信号的导线(输出信号导线)、以及被供应有参考电位的第一导体平面。当导线横截面积被定义为每个导线在正交于其中导线延伸方向的方向上的横截面积时，每个输入信号导线的导线横截面积小于每个输出信号导线的导线横截面积。在布线基板的厚度方向上，每个输入信号导线被插入在第二导体平面与第三导体平面之间，第二导体平面和第三导体平面中的每个被供应有参考电位。

公开(公告)号：CN110034085B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201811583769.5

申请日：2018-12-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 假屋崎修一 ,  白井航 ,  片山晋二 ,  土屋惠太

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，实现了半导体器件的性能的改进。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一电路和在其上安装半导体芯片的布线基板。布线基板包括传输被输入到半导体芯片的输入信号的导线(输入信号导线)、传输从半导体芯片输出的输出信号的导线(输出信号导线)、以及被供应有参考电位的第一导体平面。当导线横截面积被定义为每个导线在正交于其中导线延伸方向的方向上的横截面积时，每个输入信号导线的导线横截面积小于每个输出信号导线的导线横截面积。在布线基板的厚度方向上，每个输入信号导线被插入在第二导体平面与第三导体平面之间，第二导体平面和第三导体平面中的每个被供应有参考电位。

公开(公告)号：CN108257945B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201711461536.3

申请日：2017-12-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤嘉昭 ,  假屋崎修一 ,  中川和之

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498

Abstract: 一种改进了可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：布线衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；芯片电容器，置于布线衬底中，具有第一电极和第二电极；第一端子和第二端子，设置在第一表面上；以及第三端子，设置在第二表面上。该半导体器件还包括：第一传导路径，用于耦合第一端子和第三端子；第二传导路径，用于耦合第一端子和第一电极；第三传导路径，用于耦合第三端子和第一电极；以及第四传导路径，用于耦合第二端子和第一电极。

公开(公告)号：CN107306511B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201580074666.4

申请日：2015-08-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 假屋崎修一 ,  白井航 ,  久保山贤一

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

Abstract: 一个实施方式的半导体器件具有经由中介层而相互电连接的第1半导体部件以及第2半导体部件。上述中介层具有多个第1信号布线路径、以及路径距离比上述多个第1信号布线路径各自的路径距离短的多个第2信号布线路径。另外，上述第1半导体部件具备沿第1方向按顺序排列的第1电极、第2电极以及第3电极。另外，上述第2半导体部件包括沿上述第1方向按顺序排列的第4电极、第5电极以及第6电极。另外，上述第1电极经由上述第1信号布线路径而与上述第4电极连接，上述第2电极经由上述第1信号布线路径而与上述第5电极连接，上述第3电极经由上述第1信号布线路径而与上述第6电极连接。

公开(公告)号：CN108257945A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711461536.3

申请日：2017-12-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤嘉昭 ,  假屋崎修一 ,  中川和之

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19103 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0268 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/10015 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种改进了可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：布线衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；芯片电容器，置于布线衬底中，具有第一电极和第二电极；第一端子和第二端子，设置在第一表面上；以及第三端子，设置在第二表面上。该半导体器件还包括：第一传导路径，用于耦合第一端子和第三端子；第二传导路径，用于耦合第一端子和第一电极；第三传导路径，用于耦合第三端子和第一电极；以及第四传导路径，用于耦合第二端子和第一电极。