公开(公告)号：CN102804328A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN102804328B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。