公开(公告)号：CN105374795B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201510338054.3

申请日：2015-06-17

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 玄灿顺

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：包括交替层叠的导电层和绝缘层的层叠结构；被配置为穿过层叠结构的半导体图案；以及分别电耦合至导电层的接触插塞，其中每个导电层包括具有第一厚度的第一区域和电耦合至第一区域且具有比第一厚度更大的第二厚度的第二区域，并且下导电层的第二区域位于上导电层的第二区域之下。

公开(公告)号：CN104952873B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201410446019.9

申请日：2014-09-03

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 玄灿顺 ,  安明圭 ,  权虞埈

IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8244

CPC分类号： H01L27/11582 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11558 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：层间电介质，其被层叠且彼此间隔开；沟道层，其穿通层间电介质；线图案区，每个线图案区包围沟道层的侧壁以设置在层间电介质之间；阻挡图案，其沿着每个线图案区的表面和沟道层的侧壁形成；防反应图案，其沿着每个线图案区的第一区的表面形成在阻挡图案上，第一区与沟道层相邻；保护图案，其在防反应图案上填充在第一区中；以及第一金属层，其填充在每个线图案区的第二区中。

公开(公告)号：CN104952873A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410446019.9

申请日：2014-09-03

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 玄灿顺 ,  安明圭 ,  权虞埈

IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8244

CPC分类号： H01L27/11582 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11558 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：层间电介质，其被层叠且彼此间隔开；沟道层，其穿通层间电介质；线图案区，每个线图案区包围沟道层的侧壁以设置在层间电介质之间；阻挡图案，其沿着每个线图案区的表面和沟道层的侧壁形成；防反应图案，其沿着每个线图案区的第一区的表面形成在阻挡图案上，第一区与沟道层相邻；保护图案，其在防反应图案上填充在第一区中；以及第一金属层，其填充在每个线图案区的第二区中。

公开(公告)号：CN105374795A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510338054.3

申请日：2015-06-17

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 玄灿顺

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：包括交替层叠的导电层和绝缘层的层叠结构；被配置为穿过层叠结构的半导体图案；以及分别电耦合至导电层的接触插塞，其中每个导电层包括具有第一厚度的第一区域和电耦合至第一区域且具有比第一厚度更大的第二厚度的第二区域，并且下导电层的第二区域位于上导电层的第二区域之下。