适用于印制板孔金属化的电化镀铜

    公开(公告)号:CN102534705B

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201210043514.6

    申请日:2012-02-24

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明属化工技术领域,是针对印制板孔金属化的直接应用,提供了一种适用于印制板孔金属化的电化镀铜溶液和电化镀铜的方法。本发明的电化镀铜溶液每升溶液中包含溶质的质量为:硫酸铜10g-15g,EDTANa240g-50g,氢氧化钠10g-20g,2.2-联吡啶0.001g-0.02g,亚铁氰化钾0.05g-0.1g,甲醛8g-10g,导电剂15g-25g,致密剂1g-8g,稳定剂5g-10g。电化镀铜方法具体步骤是:接通直流电源,以铜板作为阳极,电化镀样品作为阴极,阳极与阴极的面积比为2-3∶1,控制阴极电流密度为0.5-2A/dm2,控制pH值为12-13,在45-55℃的温度下,将电化镀样品在上述电化镀铜溶液中镀覆25-35min。电化镀铜超越了单纯的化学镀铜,加强了镀铜层与绝缘基板的结合力和延伸率,还明显提高了镀覆速度,且节约成本。

    一种光催化生产过氧化氢反应机理的分析方法

    公开(公告)号:CN113673086B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202110831312.7

    申请日:2021-07-22

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种光催化生产过氧化氢反应机理的分析方法,包括以下步骤:根据待研究光催化剂在光催化生产过氧化氢中产生的活性物种及各活性物种的转化过程,以及待研究光催化剂对应模型的电子和空穴分布结果,模拟待研究光催化剂对应模型中包含的反应路径,分析生产过氧化氢的反应机理。本发明分析方法采用实验手段确定的实验结果,可以保障结果的准确性,同时理论计算能在分子甚至原子尺度上更直观和具体的分析出化学反应的具体过程,进而在实验结果与理论计算分析的相互验证下,进一步提高准确性,因而能在高准确性的前提下高效地分析光催化产过氧化氢的反应机理,具有普适性强、效率高、成本低、准确等优点,使用价值高,应用前景好。

    一种光催化生产过氧化氢反应机理的分析方法

    公开(公告)号:CN113673086A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110831312.7

    申请日:2021-07-22

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种光催化生产过氧化氢反应机理的分析方法,包括以下步骤:根据待研究光催化剂在光催化生产过氧化氢中产生的活性物种及各活性物种的转化过程,以及待研究光催化剂对应模型的电子和空穴分布结果,模拟待研究光催化剂对应模型中包含的反应路径,分析生产过氧化氢的反应机理。本发明分析方法采用实验手段确定的实验结果,可以保障结果的准确性,同时理论计算能在分子甚至原子尺度上更直观和具体的分析出化学反应的具体过程,进而在实验结果与理论计算分析的相互验证下,进一步提高准确性,因而能在高准确性的前提下高效地分析光催化产过氧化氢的反应机理,具有普适性强、效率高、成本低、准确等优点,使用价值高,应用前景好。

    一种带有自适应死区的高压电平位移电路

    公开(公告)号:CN119652310A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411729580.8

    申请日:2024-11-29

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种带有自适应死区的高压电平位移电路,所述电平移位电路包括电平移位模块、dv/dt噪声检测模块、blank信号控制模块、输出模块。本发明利用blank关断技术阻止了dv/dt噪声通过信号链影响到输出的问题;并且通过dv/dt噪声检测模块自适应的调整在面对不同强弱dv/dt噪声时的blank时间,解决了此类应用中对输入信号最小导通时间的限制;获得一个低传输延时,高抗dv/dt噪声,低最小输入信号导通时间,满足DCDC系统以及驱动电路系统的应用需求。

    适用于印制板孔金属化的电化镀铜

    公开(公告)号:CN102534705A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210043514.6

    申请日:2012-02-24

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明属化工技术领域,是针对印制板孔金属化的直接应用,提供了一种适用于印制板孔金属化的电化镀铜溶液和电化镀铜的方法。本发明的电化镀铜溶液每升溶液中包含溶质的质量为:硫酸铜10g-15g,EDTANa2 40g-50g,氢氧化钠10g-20g,2.2-联吡啶0.001g-0.02g,亚铁氰化钾0.05g-0.1g,甲醛8g-10g,导电剂15g-25g,致密剂1g-8g,稳定剂5g-10g。电化镀铜方法具体步骤是:接通直流电源,以铜板作为阳极,电化镀样品作为阴极,阳极与阴极的面积比为2-3∶1,控制阴极电流密度为0.5-2A/dm2,控制pH值为12-13,在45-55℃的温度下,将电化镀样品在上述电化镀铜溶液中镀覆25-35min。电化镀铜超越了单纯的化学镀铜,加强了镀铜层与绝缘基板的结合力和延伸率,还明显提高了镀覆速度,且节约成本。

    室温下电泳制备ZnO纳米针尖阵列的方法

    公开(公告)号:CN101586249B

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN200910043726.2

    申请日:2009-06-19

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种制备纳米针尖阵列的方法。首先制备双通氧化铝模板,将氧化铝模板放入电沉积槽中间挡板的孔中,加入硝酸锌溶液和中性草酸溶液,然后进行电沉积,阴极槽底部得到沉淀物,经去离子水洗涤之后,退火即得ZnO的纳米针尖阵列。在硝酸锌溶液中加入稀土元素的硝酸盐,可得到稀土元素掺杂的ZnO纳米针尖阵列。本发明方法所得的纳米针尖阵列排布非常规则,针尖也较尖锐,有望在场发射中投入使用。并且该阵列的发光性能很好,可以同时发出紫外光和绿光。

    室温下电沉积制备ZnO纳米针尖阵列的方法

    公开(公告)号:CN101586249A

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200910043726.2

    申请日:2009-06-19

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种制备纳米针尖阵列的方法。首先制备双通氧化铝模板,将氧化铝模板放入电沉积槽中间挡板的孔中,加入硝酸锌溶液和中性草酸溶液,然后进行电沉积,阴极槽底部得到沉淀物,经去离子水洗涤之后,退火即得ZnO的纳米针尖阵列。在硝酸锌溶液中加入稀土元素的硝酸盐,可得到稀土元素掺杂的ZnO纳米针尖阵列。本发明方法所得的纳米针尖阵列排布非常规则,针尖也较尖锐,有望在场发射中投入使用。并且该阵列的发光性能很好,可以同时发出紫外光和绿光。

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