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公开(公告)号：CN120076708A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510519277.3
申请日：2025-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种柔性光电双控忆阻器及其制备方法与应用，该柔性光电双控忆阻器包括依次层叠设置的柔性衬底、底电极、复合功能薄膜以及顶电极，其中，所述底电极与所述顶电极的材料均选自银，所述复合功能薄膜包括层叠设置的铜基钙钛矿层以及第一疏水性聚合物层，所述顶电极层叠设置在所述第一疏水性聚合物层上，且所述顶电极不完全覆盖所述第一疏水性聚合物层。该柔性光电双控忆阻器在光信号刺激下表现出多种典型的光电突触可塑性，且几乎不受弯曲曲率和弯曲循环次数以及环境的影响，能够很好的应用于柔性电子产品。
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公开(公告)号：CN119224407B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411764373.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01R19/00 , G01R15/22 , G01R33/032 , G01R33/24
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法。本发明的装置结构简单，成本相对较低，非常易于推广使用。本发明采用双传感器结构进行差分检测，有效避免了环境磁场噪声的影响，在很大程度上提高了测量灵敏度。本发明装置的检测灵敏度只依赖于碳化硅自旋缺陷的浓度、激发光的密度以及荧光收集效率，并且可以通过优化碳化硅自旋缺陷的浓度及自旋性质，进一步提高磁场/电流测量的灵敏度，拓宽了提高检测精度的空间。本发明将碳化硅与光纤集成于一体，不依赖共聚焦光路系统，使用的光纤只用于激发光和荧光的传输，其形状和长度对测试结果基本无影响，使用非常便利。
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公开(公告)号：CN114754910B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210350969.6
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明涉及压力测量技术领域，公开了一种基于碳化硅拉曼信号的压力测量方法，包括以下步骤：提供碳化硅，将所述碳化硅放置在待测压力位置处；对位于所述待测压力位置处的所述碳化硅进行激光照射，形成拉曼信号；根据所述拉曼信号中的TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值。本发明基于TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值的压力测量方法，测量精度高，且更具有实践意义；且在变温情形下，碳化硅非常高的热导率能够降低误差，无须特殊的X射线防护，且无峰位重叠情况，压力计算更加准确。
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公开(公告)号：CN119061472A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411571341.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法及碳化硅外延生长装置，用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法对安装在外延炉的炉腔内的石墨件进行清洗，所述炉腔具有进气口和尾气出口，所述清洗方法包括：通过所述进气口往所述外延炉的所述炉腔持续通入碱蒸气。本申请的清洗方法无需将石墨件从外延炉中拆下，可直接在原位对石墨件进行清洗，免去了拆卸及安装石墨件的步骤，非常方便，且显著提高了工艺稳定性，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114518070B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210156964.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118338770B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118338770A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118064967B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410494355.4
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN115161762B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210900279.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
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公开(公告)号：CN114318517B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111638964.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种籽晶粘接结构及其提高籽晶粘接均匀性的方法，依次包括压块，籽晶，定位环，所述定位环上设有导热系数不同的第一导热层，第二导热层与第三导热层，导热系数沿籽晶中心径向到边缘呈减小趋势。本发明通过利用导热系数不同的导热层，分区域热压，使得胶水固化的时候气泡从中心开始向边缘能有序的排出，避免了中心区域气泡无法排除而聚集的现象。通过本发明的方法制备的籽晶，其胶水的均匀性得到了很大的改善。
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