一种氮化硼包覆石墨烯纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN108328585A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810412566.3

    申请日:2018-05-03

    Abstract: 本发明为一种氮化硼包覆石墨烯纳米片的制备方法。该方法采用硼酸与三聚氰胺混合液制备氮化硼前驱体,在聚乙烯吡咯烷酮K30的加入下,通过前驱体粘附法,使得氮化硼前驱体在石墨烯纳米片上分布的更加均匀与广泛。本发明中,表面活性剂的加入使得氮化硼前驱体更易粘附在石墨烯纳米片的表面,这大大提高了包覆层的广泛性;以氨气为烧结气体,在提供氮源的同时又可以做还原性气体,使得到的产物更加纯净。

    一种氮化硼包覆多壁碳纳米管的制备方法

    公开(公告)号:CN107902640A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711169496.5

    申请日:2017-11-22

    CPC classification number: B82Y30/00 B82Y40/00 C01B2202/06 C01P2004/80

    Abstract: 本发明为一种氮化硼包覆多壁碳纳米管的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)将碳纳米管加入到硝酸与硫酸组成的混酸中,超声分散后干燥得到粉末;(2)向乙醇中加入硼酸、三聚氰胺、表面活性剂和步骤(1)中的干燥粉末,超声,搅拌,过滤,真空干燥得到氮化硼包覆碳纳米管前驱体;表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮K30;(3)取步骤(2)中得到的产物机械研磨后在氨气气氛、1050~1200℃下烧结2~3.5h,制得氮化硼包覆碳纳米管复合粉体材料。本发明方法所用仪器设备简单,操作方便,成本低廉,产物的结构稳定且性能优异,有利于大规模的生产。

    一种导电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN107986776A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201711273622.1

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 本发明为一种导电陶瓷的制备方法。该方法包括以下步骤:将渗碳炉升温,使渗碳炉温度达到830℃~910℃并保持稳定,再把陶瓷基料放入渗碳炉内的坩埚,然后向渗碳炉内滴加含有氯化镧的扩渗剂,滴加3.5-4.5小时,在其滴加过程中保持温度不变;最后得到导电陶瓷;所述的物料配比为质量比陶瓷基料:氯化镧=1-2:1,陶瓷基料优选为钛酸铅、钛酸钡或氧化锌。本发明方法所用仪器设备简单,操作方便,产物的结构稳定且性能优异,有利于大规模的生产。

    一种Tb3+掺杂硅酸钙发光材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107936960A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711273621.7

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 本发明为一种Tb3+掺杂硅酸钙发光材料的制备方法。该方法包括以下步骤:将七氧化四铽溶于浓硝酸中,得到第一溶液;将硅酸乙酯溶于乙醇,得到第二溶液;将柠檬酸和硝酸钙加入到蒸馏水中,得到第三溶液;三者混合后调节pH至1.0,然后干燥得到干凝胶;再经研磨后在800~1200℃下烧结2~4h,最后制得Tb3+掺杂硅酸钙发光材料。本发明具有优异的发光学性能,而且原料价廉、易得。

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