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公开(公告)号：CN113764531B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111014531.2
申请日：2021-08-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/788 , H01L21/336
摘要： 本发明提出一种源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法，对比现有技术，无需额外供电的编程栅，仅通过单个栅电极即可实现对其开关控制功能，简化了单元结构的复杂度，易于单元结构互连和集成度的提升。本发明所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，位于编程隧穿层以下区域具有左右对称的结构特征，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关传输功能。利用对漏电极和源电极之间施加电势差对本发明提出的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的可编程浮栅进行编程，在断电下可依然可以长时间记录保持导电类型。
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公开(公告)号：CN113572471B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110786068.7
申请日：2021-07-12
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H03K19/20
摘要： 一种4晶体管双向异或非门CMOS集成电路，该电路包含：第一N型MOS晶体管NMOS；第一P型MOS晶体管PMOS；第二N型MOS晶体管NMOS；第二P型MOS晶体管PMOS；信号输入端A；信号输入端B；电源电压VDD；XNOR逻辑门输出端；第一金属导线M；第二金属导线M；第三金属导线M；第四金属导线M；精简化的异或非XNOR逻辑门电路，使集成电路的集成度在同等工艺下进一步提升；在电源电压VDD与XNOR逻辑门输出端对调的情况下依然可以输出异或非逻辑，可实现双向异或非门逻辑传输功能，为拓展集成电路功能设计提供支持。
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公开(公告)号：CN113948576B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111132919.2
申请日：2021-09-27
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了静态功耗和反向漏电流的大量产生。在亚阈值区域，单晶硅薄膜的导带与源电极之间所形成的深肖特基势垒有效抑制来自源电极的电子通过热电子发射效应注入到单晶硅薄膜，有效抑制了亚阈值电流的产生。对比当前隧穿晶体管技术和肖特基势垒晶体管技术，器件同时兼具有低亚阈值摆幅、低静态功耗、低漏电、制造过程避免掺杂工艺毫秒级热处理工艺、逻辑功能与当前CMOS集成电路兼容等特点。
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公开(公告)号：CN113948576A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111132919.2
申请日：2021-09-27
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了静态功耗和反向漏电流的大量产生。在亚阈值区域，单晶硅薄膜的导带与源电极之间所形成的深肖特基势垒有效抑制来自源电极的电子通过热电子发射效应注入到单晶硅薄膜，有效抑制了亚阈值电流的产生。对比当前隧穿晶体管技术和肖特基势垒晶体管技术，器件同时兼具有低亚阈值摆幅、低静态功耗、低漏电、制造过程避免掺杂工艺毫秒级热处理工艺、逻辑功能与当前CMOS集成电路兼容等特点。
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公开(公告)号：CN107833926B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711050846.6
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及高集成度方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法。在U形单晶硅所形成的凹槽内部，仅需填充绝缘介质以实现两侧垂直沟道的彼此隔离，在凹槽内部无需引入用于生成栅电极的金属材料或者多晶硅材料，凹槽内部结构相对简单，可实现传统意义上物理栅电极长度仅有1纳米的，即源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力，即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。因此适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN107768431B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711050837.7
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力。即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。同时采用方筒形辅控栅电极和方筒形栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，因此适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN107799607B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201711048155.2
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及导电类型可调源漏阻变式双侧折叠栅晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向泄漏电流、较强栅极控制能力和低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用肖特基势垒隧穿效应实现更优秀的亚阈值特性和开关特性，降低晶体管的静态功耗；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，实现了各种现有晶体管技术所无法实现的P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能，因此为集成电路设计单元提供了更广泛和多样的逻辑功能，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN107681005B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711046192.X
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明所述器件具有导电类型选择栅、双侧栅和左右两侧对称的结构特征，具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能、双向开关功能、低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，实现了现有技术所无法实现的P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能，因此为集成电路设计单元提供了更广泛和多样的逻辑功能，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN107819029A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711050865.9
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极、势垒调节栅和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗、反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
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公开(公告)号：CN107768430A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711050820.1
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及其制造方法。本发明所述器件具有左右对称的结构特征，通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗、高正反向电流比、低反向泄漏电流特性、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
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