公开(公告)号：CN113948576B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202111132919.2

申请日：2021-09-27

申请人： 沈阳工业大学

发明人： 刘溪 ,  李萌萌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了静态功耗和反向漏电流的大量产生。在亚阈值区域，单晶硅薄膜的导带与源电极之间所形成的深肖特基势垒有效抑制来自源电极的电子通过热电子发射效应注入到单晶硅薄膜，有效抑制了亚阈值电流的产生。对比当前隧穿晶体管技术和肖特基势垒晶体管技术，器件同时兼具有低亚阈值摆幅、低静态功耗、低漏电、制造过程避免掺杂工艺毫秒级热处理工艺、逻辑功能与当前CMOS集成电路兼容等特点。

公开(公告)号：CN113948576A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111132919.2

申请日：2021-09-27

申请人： 沈阳工业大学

发明人： 刘溪 ,  李萌萌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了静态功耗和反向漏电流的大量产生。在亚阈值区域，单晶硅薄膜的导带与源电极之间所形成的深肖特基势垒有效抑制来自源电极的电子通过热电子发射效应注入到单晶硅薄膜，有效抑制了亚阈值电流的产生。对比当前隧穿晶体管技术和肖特基势垒晶体管技术，器件同时兼具有低亚阈值摆幅、低静态功耗、低漏电、制造过程避免掺杂工艺毫秒级热处理工艺、逻辑功能与当前CMOS集成电路兼容等特点。