一种芳香族胺类衍生物及其应用
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113563316A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202010352120.3

    申请日:2020-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种芳香族胺类衍生物及其应用,属于半导体技术领域,本发明提供化合物的结构如通式(I)所示:本发明还公开了上述化合物的应用。本发明提供的化合物具有较强的空穴传输能力,在恰当的HOMO能级下,提升了空穴注入和传输性能;在合适的LUMO能级下,又起到了电子阻挡的作用,提升激子在发光层中的复合效率;作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时,搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和辐射效率。

    一种含嘧啶结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件

    公开(公告)号:CN119613389A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311179759.6

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种含嘧啶结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件,属于半导体材料技术领域。本发明所述含嘧啶结构的化合物结构如通式(A)所示:#imgabs0#所述含嘧啶结构的化合物应用于有机电致发光器件的有机薄膜层,所述有机薄膜层包括空穴传输区域薄膜层、发光区域薄膜层和电子传输区域薄膜层,所述电子传输区域薄膜层含有所述含嘧啶结构的化合物。所述含嘧啶结构的化合物具良好的稳定性,同时拥有良好的空穴阻挡能力,本发明所述含嘧啶结构的化合物作为有机电致发光器件的材料使用时,器件效率和器件寿命均得到显著改善。

    一种含硼有机化合物及其应用
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118271356A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211729518.X

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种含硼有机化合物及其应用,属于半导体技术领域,本发明提供化合物的结构如通式(1)所示:#imgabs0#本发明还公开了上述化合物的应用。本发明的化合物具有窄半峰宽,作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时,器件的电流效率得到显著提升,同时发光色纯度和器件寿命也得到了较大的改善,本发明含硼有机化合物作为发光层掺杂材料使器件具有良好的光电性能。

    一种作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物及其应用

    公开(公告)号:CN114315875A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011040797.X

    申请日:2020-09-28

    Abstract: 本发明提供了一种作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物及其应用,属于半导体技术领域,本发明提供化合物的结构如通式(I)所示;本发明的化合物具有窄半峰宽、高荧光量子产率,具有高的玻璃化转变温度和分子热稳定性,以及具有合适的HOMO和LUMO能级,作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时,器件的电流效率和外量子效率得到显著提升,同时发光色纯度和器件寿命也得到了较大的改善,本发明含硼有机化合物作为发光层掺杂材料使器件具有良好的光电性能。

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