一种含氰基取代的氮杂苯结构的有机化合物及其应用

    公开(公告)号:CN118852037A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202310479979.4

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种含氰基取代的氮杂苯结构的有机化合物及其应用,属于半导体材料技术领域。本发明所述化合物的结构如通式(1)所示:#imgabs0#所述含氰基取代的氮杂苯结构的有机化合物应用在有机电致发光器件,有机电致发光器件的第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层,至少一层有机薄膜层本发明所述含氰基取代的氮杂苯结构的化合物。本发明所述含氰基取代的氮杂苯结构的有机化合物作为有机电致发光器件的材料使用时,器件的驱动电压、电流效率、寿命均得到显著改善。

    一种含嘧啶结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件

    公开(公告)号:CN119613389A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311179759.6

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种含嘧啶结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件,属于半导体材料技术领域。本发明所述含嘧啶结构的化合物结构如通式(A)所示:#imgabs0#所述含嘧啶结构的化合物应用于有机电致发光器件的有机薄膜层,所述有机薄膜层包括空穴传输区域薄膜层、发光区域薄膜层和电子传输区域薄膜层,所述电子传输区域薄膜层含有所述含嘧啶结构的化合物。所述含嘧啶结构的化合物具良好的稳定性,同时拥有良好的空穴阻挡能力,本发明所述含嘧啶结构的化合物作为有机电致发光器件的材料使用时,器件效率和器件寿命均得到显著改善。

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